Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 萩元 将人; 柳澤 浩徳; 土屋 朋信 | |
| 2018-10-18 | |
| 专利权人 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 |
| 公开日期 | 2018-10-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】より良好な放熱性を有するサブマウント基板を用いた半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置100は、第一結晶軸(c軸)を法線方向とする第一結晶面(c面)と、前記第一結晶軸よりも熱伝導率が高い第二結晶軸(a軸)を法線方向とする第二結晶面(a面)とを含む結晶構造を有する単結晶のサブマウント基板10と、サブマウント基板10の第一面11側に接合された半導体レーザチップ20と、を備える。第一結晶面はサブマウント基板10の第一面11に対して傾斜している。 【選択図】 図2 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供使用具有更好散热性能的子安装基板的半导体激光器件。一种半导体激光器件100具有第一结晶面和（c面），第二晶轴具有比所述第一晶轴的第一结晶轴更高的导热性（c轴方向）和法线方向的第二结晶面（平面）和单晶的具有晶体结构，包括的副安装基板10：（a轴）和法线方向，Sabuma并且半导体激光器芯片20结合到基板10的第一表面11侧。第一晶面相对于副安装座基板10的第一面11倾斜。 发明背景 |
| 申请日期 | 2017-08-29 |
| 专利号 | JP2018164069A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | JP2017164096 |
| 公开（公告）号 | JP2018164069A |
| IPC 分类号 | H01S5/022 |
| 专利代理人 | 小西 恵 | 永岡 重幸 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/68005 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 萩元 将人,柳澤 浩徳,土屋 朋信. 半導体レーザ装置. JP2018164069A[P]. 2018-10-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2018164069A.PDF（73KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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