Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 相原 卓磨; 松尾 慎治; 硴塚 孝明; 長谷部 浩一; 開 達郎 | |
| 2019-01-10 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 2019-01-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】半導体レーザなどの半導体光デバイスの特性およびシリコン光導波路の特性劣化を抑制して両者が光結合できるようにする。 【解決手段】再成長層122をパターニングすることで、光モード変換構造106を形成する(第3工程)。光モード変換構造106は、光導波路の導波方向に延在した状態に形成する。また、光モード変換構造106は、活性層105の先端部105aから離れるほど幅が狭くなる状態に形成し、平面視で導波方向に先細りの形状とする。 【選択図】 図1H |
| 其他摘要 | 要解决的问题使半导体激光器之类的半导体光学器件与半导体光学器件的特性之间的光学耦合和硅光波导的特性劣化成为可能。 解决方案：通过图案化再生长层122来形成光学模式转换结构106（第三步骤）。光学模转换结构106形成为在光波导的波导方向上延伸。另外，光学模式转换结构106形成为其宽度随着远离有源层105的前端部分105a而变窄的状态，并且在平面图中具有在波导方向上逐渐变细的形状。 背景技术 |
| 申请日期 | 2017-06-12 |
| 专利号 | JP2019003973A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | JP2017115047 |
| 公开（公告）号 | JP2019003973A |
| IPC 分类号 | H01S5/026 | G02B6/12 | G02B6/122 | G02B6/124 |
| 专利代理人 | 山川 茂樹 | 小池 勇三 | 山川 政樹 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67992 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 相原 卓磨,松尾 慎治,硴塚 孝明,等. 半導体装置およびその製造方法. JP2019003973A[P]. 2019-01-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2019003973A.PDF（121KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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