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一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置
其他题名一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置
朱君; 徐汶菊; 秦柳丽; 傅得立; 朱勇建; 宋树祥
2016-07-27
专利权人广西师范大学
公开日期2016-07-27
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置,其特征是,包括顺序叠接的底层硅基层、介电层和金属层;所述的硅基层为包裹GaN纳米线的硅基层;所述的介电层为MgF2介电层;所述的金属层材质为Au。这种装置局域化特性强、增益阈值低、亚波长量级可集成,对于生物监测、光通信领域都有广泛潜在应用。
其他摘要本发明公开了一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置,其特征是,包括顺序叠接的底层硅基层、介电层和金属层;所述的硅基层为包裹GaN纳米线的硅基层;所述的介电层为MgF2介电层;所述的金属层材质为Au。这种装置局域化特性强、增益阈值低、亚波长量级可集成,对于生物监测、光通信领域都有广泛潜在应用。
申请日期2016-05-12
专利号CN105811240A
专利状态申请中
申请号CN201610311836.2
公开(公告)号CN105811240A
IPC 分类号H01S5/06 | H01S5/30
专利代理人刘梅芳
代理机构桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67967
专题半导体激光器专利数据库
作者单位广西师范大学
推荐引用方式
GB/T 7714
朱君,徐汶菊,秦柳丽,等. 一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置. CN105811240A[P]. 2016-07-27.
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