Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光半导体装置 | |
| 其他题名 | 光半导体装置 |
| 中村直干; 中井荣治 | |
| 2019-11-01 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2019-11-01 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明的目的在于，得到一种能够抑制对接界面处的电流集中而使可靠性提高的光半导体装置。在n型半导体衬底(1)之上设置有n型包层(2)。在n型包层(2)之上设置有半导体激光器的有源层(3)和波导的波导层(4)。有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面相对。在有源层(3)及波导层(4)之上设置有p型包层(5)。中间层(8)设置于有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面之间及n型包层(2)与波导层(4)之间，没有设置于有源层(3)之上，带隙比波导层(4)的带隙大。 |
| 其他摘要 | 本发明的目的在于，得到一种能够抑制对接界面处的电流集中而使可靠性提高的光半导体装置。在n型半导体衬底(1)之上设置有n型包层(2)。在n型包层(2)之上设置有半导体激光器的有源层(3)和波导的波导层(4)。有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面相对。在有源层(3)及波导层(4)之上设置有p型包层(5)。中间层(8)设置于有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面之间及n型包层(2)与波导层(4)之间，没有设置于有源层(3)之上，带隙比波导层(4)的带隙大。 |
| 申请日期 | 2017-07-28 |
| 专利号 | CN107666110B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201710633483.2 |
| 公开（公告）号 | CN107666110B |
| IPC 分类号 | H01S5/32 | H01S5/34 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 何立波 | 张天舒 |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67932 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村直干,中井荣治. 光半导体装置. CN107666110B[P]. 2019-11-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107666110B.PDF（1419KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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