リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法

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	リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法
其他题名	リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法
	大櫃義徳; 橋本隆宏; 辻井宏行; 喜根井聡文; 大島昇; 太田将之; 兼岩進治
	2006-03-30
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2006-03-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】水平横モードのファー·フィールド·パターンにピーク部分以外の激しい凹凸がなく、従って、安定なAPC駆動が可能で、しかも、製造コストの増大を抑制可能なリッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】少なくともN型クラッド層103、活性層104、P型クラッド層105、及び、リッジ部107が積層されて形成されると共に、該リッジ部107の側面及びP型クラッド層105の上面が、絶縁膜108で覆われたリッジ型半導体レーザ素子100を、上記絶縁膜108として、屈折率が上記P型クラッド層105の屈折率より小さく、且つ、該屈折率と、上記P型クラッド層105の屈折率との差が1以内である絶縁膜を用いて構成する。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种脊型半导体激光器件，除了水平横向模式中的远场图案中的峰值之外没有大的不规则性，因此可以稳定地进行APC驱动，同时可以抑制增加在制造成本方面，并提供其制造方法。解决方案：脊型半导体激光器件100至少包括n型覆层103，有源层104，p型覆层105和脊107，它们按此顺序堆叠。脊107的侧面和p型覆层105的顶面涂覆有绝缘膜108.绝缘膜108由折射率小于p型覆层的绝缘膜构成。105，并且两个折射率的差异都在Ž之内
主权项	-
申请日期	2004-09-14
专利号	JP2006086218A
专利状态	失效
申请号	JP2004267267
公开（公告）号	JP2006086218A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/00
专利代理人	倉内義朗
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67886
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	大櫃義徳,橋本隆宏,辻井宏行,等. リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2006086218A[P]. 2006-03-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2006086218A.PDF（102KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文