Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置及びその使用方法 | |
| 其他题名 | 半導体装置及びその使用方法 |
| 松田 学 | |
| 1998-09-29 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1998-09-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 長距離伝送に適した光パルスを形成することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 電子及び正孔に対して量子井戸を形成する量子井戸層と、電子及び正孔に対してポテンシャル障壁を形成する障壁層とが、少なくとも1層の量子井戸層と少なくとも2層の障壁層とを含むように交互に積層されている。量子井戸層の厚さ及び量子井戸層と障壁層との界面における価電子帯のポテンシャル障壁の高さが、量子井戸層内に生ずる電界の強さが零の状態において、量子井戸層の価電子帯側の正孔に対する量子準位数を2または3とするように選択されている。量子井戸積層構造に、厚さ方向の電界を印加する電界印加手段を有する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过在量子阱层压结构上施加厚度方向上的电场来产生适合于长距离传输的光脉冲。解决方案：在基板1上形成n型光导层2，并且通过sepn形成分布反馈型（DFB）激光器14和光调制器15。其中的区域16。该DFB激光器14通过在衍射光栅3上层叠n型光导层2，有源层4a，p型光导层5，p型覆层6和接触层7a而形成。调制器15通过在n型导光层2上层叠量子阱层和阻挡层而层叠量子阱结构4b并层叠p型导光层5，p型覆层6和p而形成。其上的接触层7b。该结构中的DFB激光器14连续地振荡单一波长的光。光学调制器15选择性地吸收从DFB激光器14发射的光并产生调制的输出光。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1997-03-19 |
| 专利号 | JP1998260381A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997066793 |
| 公开（公告）号 | JP1998260381A |
| IPC 分类号 | G02F1/017 | G02F1/015 | H01S | H01S5/026 | G02F1/01 | G02F | H01S5/00 | G02F1/025 | H01L31/0352 | H01L31/0248 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 高橋 敬四郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67761 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松田 学. 半導体装置及びその使用方法. JP1998260381A[P]. 1998-09-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998260381A.PDF（86KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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