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半導体短光パルス発生装置およびその製造方法
其他题名半導体短光パルス発生装置およびその製造方法
鈴木 安弘; 中尾 正史; 近藤 康洋; 永沼 充
1994-10-07
专利权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期1994-10-07
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】 安定性が良好で、繰り返し周波数を可変とする。 【構成】 半導体基板38に設けられた、利得導波路31と、スイッチ部33と、劈開面37Aと37Bとが、受動導波路34,35とにより光学的に接続されている。
其他摘要【用途】稳定性好,重复频率可变。 在半导体衬底中,增益波导31,开关部分33和解理表面37A和37B光学连接到无源波导和。
主权项-
申请日期1993-03-25
专利号JP1994283820A
专利状态失效
申请号JP1993066597
公开(公告)号JP1994283820A
IPC 分类号G02B6/12 | H01L27/15 | G02B6/13 | H01S5/042 | H01S5/00 | G02F1/35 | H01S3/18
专利代理人谷 義一 (外1名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67690
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
鈴木 安弘,中尾 正史,近藤 康洋,等. 半導体短光パルス発生装置およびその製造方法. JP1994283820A[P]. 1994-10-07.
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