Surface treated type semiconductor optical arithmetic unit

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	Surface treated type semiconductor optical arithmetic unit
其他题名	Surface treated type semiconductor optical arithmetic unit
	KOGA YUJI
	1988-11-07
专利权人	NIPPON ELECTRIC CO
公开日期	1988-11-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To enable high-density matrix-like surface integration by using a refractive index waveguide technique in a plane perpendicular direction in order to execute an optical sepn. CONSTITUTION:A 1st semiconductor region 2 of quantum well structure alternately laminated with undoped GaAs and undoped Al0.4Ga0.6As is formed by a vapor epitaxy method or molecular beam epitaxy method on a semiconductor substrate 1 consisting of GaAs. The 1st semiconductor region 2 is then chemically etched by chemical etching down to the substrate 1 to a circular columnar shape except the part of a light incident face 4, by which said region is separated like a matrix. The 1st semiconductor region 2 separated like the matrix is embedded by the 2nd semiconductor region 3 consisting of undoped Al0.7Ga0.3 As. The GaAs semiconductor substrate 1 is then chemically etched to form a light exit face 5 and a light taking-out window 6. Leakage of light from respective optical computing elements is thereby prevented and, therefore, the integration of the elements at a high density is possible.
其他摘要	目的：通过在平面垂直方向上使用折射率波导技术实现高密度矩阵状表面积分，以执行光学sepn。组成：在由GaAs组成的半导体衬底1上，通过气相外延方法或分子束外延方法形成与未掺杂的GaAs和未掺杂的Al0.4Ga0.6As交替层叠的量子阱结构的第一半导体区域2。然后，通过化学蚀刻将第一半导体区域2向下化学蚀刻至基板1至除了光入射面4的一部分之外的圆柱形状，由此所述区域像矩阵一样被分离。像矩阵那样分离的第一半导体区域2嵌入由未掺杂的Al0.7Ga0.3As构成的第二半导体区域3。然后对GaAs半导体衬底1进行化学蚀刻以形成光出射面5和光取出窗口6.由此防止来自各个光学计算元件的光泄漏，因此，高密度元件的集成是可能。
主权项	-
申请日期	1987-04-27
专利号	JP1988269135A
专利状态	失效
申请号	JP1987105332
公开（公告）号	JP1988269135A
IPC 分类号	H01S5/00 \| G02F3/00 \| G06E3/00 \| G06G9/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67643
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON ELECTRIC CO
推荐引用方式 GB/T 7714	KOGA YUJI. Surface treated type semiconductor optical arithmetic unit. JP1988269135A[P]. 1988-11-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988269135A.PDF（155KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文