半導体レーザ装置およびこれを用いた光通信システム

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	半導体レーザ装置およびこれを用いた光通信システム
其他题名	半導体レーザ装置およびこれを用いた光通信システム
	鬼頭雅弘; 石野正人; 松井康
	1999-04-23
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1999-04-23
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】広い温度範囲にわたって低しきい値電流および高スロープ効率特性を有する半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型GaAs バッファ層2、n型In0.5Ga0.5Pクラッド層15、n型GaAs光閉じこめ層4、活性層5、p型GaAs光閉じこめ層6、p型 In0.5Ga0.5Pクラッド層16が積層されている。n型クラッド層3、n型光閉じ込め層、活性層5、p型光閉じ込め層、p型クラッド層を含む積層構造はエッチングにより共振器方向にストライプ状に伸びたメサ状に形成されている。活性層はGaAs障壁層11とInNAsP井戸層12から形成されており、発振波長が3μm近傍となるようにInNAsP井戸層12の組成比並びに層厚が設定されている。このような構成とすることにより、GaAs障壁層11とInNAsP井戸層12の伝導帯側のバンドオフセットを200meV以上とし、周囲温度の上昇に対して電子の閉じ込めが十分に行われ、特性が劣化しない。
其他摘要	要解决的问题：为了获得低阈值电流和高斜率效率特性，覆盖宽温度范围，通过制作有源层包括其晶格符合GaAs衬底的晶格并且具有指定元件的层。解决方案：在n上依次制作缓冲层2，包层3，光接通层4，有源层5，光接通层6，包层7和接触层8制造有源层5，包括InNx ASy P1-xy（0
主权项	-
申请日期	1998-04-03
专利号	JP1999112096A
专利状态	失效
申请号	JP1998091219
公开（公告）号	JP1999112096A
IPC 分类号	H01S \| H01S5/323 \| C30B29/36 \| H01S5/343 \| H01S5/026 \| E21D9/12 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| E21D9/06 \| H01S3/18
专利代理人	前田弘 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67639
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	鬼頭雅弘,石野正人,松井康. 半導体レーザ装置およびこれを用いた光通信システム. JP1999112096A[P]. 1999-04-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999112096A.PDF（115KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文