Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 結晶基板の製造方法 | |
| 其他题名 | 結晶基板の製造方法 |
| 酒井 士郎; 和田 直樹 | |
| 1994-08-19 | |
| 专利权人 | 徳島大学長 |
| 公开日期 | 1994-08-19 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 第1の結晶基板上にその結晶と格子定数および熱膨張係数が異なる第2、3の結晶基板を形成し、その第3の結晶基板上に半導体素子を形成する場合に、その素子の動作を妨げる転位および歪応力を減少させ素子の良好な動作を得るための、転位密度の低いかつ歪応力の少ない第3の結晶基板を得ることを目的とする。 【構成】 第一の結晶基板となるSi基板1の上に、選択エッチング層2を介して第二の結晶基板であるGaAsエピタキシャル層3を形成する。次にそのGaAs層3にエッチング溝部4を形成して、前記選択エッチング層2の一部のみ部分的にエッチングにより除去する。この時露呈したSi基板上にSiO2 被膜層6を形成した後、前記GaAs層3上に、第三の結晶基板となるGaAsエピタキシャル層5を再成長させる。 |
| 其他摘要 | 为了形成第二和第三晶体衬底，其具有不同于第一晶体衬底上的晶体的晶格常数和热膨胀系数，并在第三晶体衬底上形成半导体元件，为了减少阻碍器件工作的位错和应变应力，从而获得器件的有利操作，并提供具有低位错密度和低应变应力的第三晶体衬底。 通过选择性蚀刻层（2）在作为第一晶体衬底的Si衬底（1）上形成作为第二晶体衬底的GaAs外延层（3）。接下来，在GaAs层3中形成蚀刻槽4，并且通过蚀刻仅部分地去除选择性蚀刻层2的一部分。此时，在暴露的Si衬底上形成SiO 2涂层6，然后在GaAs层3上再生长成为第三晶体衬底的GaAs外延层5。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1992-01-10 |
| 专利号 | JP1994232045A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992022014 |
| 公开（公告）号 | JP1994232045A |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小鍜治 明 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67564 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 徳島大学長 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 酒井 士郎,和田 直樹. 結晶基板の製造方法. JP1994232045A[P]. 1994-08-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994232045A.PDF（150KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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