Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 進行波型半導体光増幅装置 | |
| 其他题名 | 進行波型半導体光増幅装置 |
| 森戸 健 | |
| 2000-09-08 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 2000-09-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 進行波型半導体光増幅装置に関し、基本モード条件を維持しながら、活性層幅の変化に対する偏波間の光閉じ込め係数比ΓTE/ΓTMの変化の穏やかな範囲を広くする。 【解決手段】 引張歪を導入したバルク結晶からなる歪バルク活性層1を有し、光入射端面と光出射端面との間における反射による光の共振を抑制し、歪バルク活性層1のバンド·ギャップ波長とほぼ等しい波長の信号光を光入射端面から入射し、歪バルク活性層1に電流注入して誘導放出効果により信号光を増幅し、光出射端面から増幅した信号光を出射する進行波型半導体光増幅装置の歪バルク活性層1の層厚方向に垂直な二つの面をそれぞれ単一のクラッド層2,3で挟む。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：在行波半导体光中，扩大一个范围，在这个范围内，在保持基本模式条件的同时，偏振波与有源层宽度之间的光限制系数比和伽玛TE /伽马TM的变化是平缓的。放大器。解决方案：在行波半导体光放大器中，提供包括引入拉应力的块状晶体的应变体有源层1，由于在光入射端面和光发射端之间的间隙处的反射引起的光学谐振如果表面被抑制，则从光入射端面入射具有与应变体有源层1的带隙几乎相等的波长的信号光，将电流注入到应变体有源层1中以放大信号通过感应发光效应发光，并且放大的信号光从发光端面发射。在该放大器中，垂直于应变体有源层1的层厚方向的两个表面分别夹在单个包层2和3之间。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1999-02-19 |
| 专利号 | JP2000244074A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999040853 |
| 公开（公告）号 | JP2000244074A |
| IPC 分类号 | H01S5/50 | H01S | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 柏谷 昭司 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67496 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森戸 健. 進行波型半導体光増幅装置. JP2000244074A[P]. 2000-09-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000244074A.PDF（289KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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