Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Halbleiterbauelement | |
| 其他题名 | Halbleiterbauelement |
| GOTOH HIDEKI; INOUE YUICHI; SHIMOYAMA KENJI | |
| 1994-03-24 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI KASEI CORP. TOKIO/TOKYO JP |
| 公开日期 | 1994-03-24 |
| 授权国家 | 德国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | In a process for fabricating a semiconductor laser by forming a double-heterostructure made up of a first cladding layer, an active layer and a second cladding layer on a semiconductor substrate at the first growth step, forming protecting films for selective growth on both sides of a striped region for current injection, without etching the second cladding layer, and growing a third cladding layer and a contact layer for current injection at a second growth step, the second cladding layer formed at the first growth step is grown to the thickness required for achieving laser characteristics. |
| 其他摘要 | 在通过在第一生长步骤中在半导体衬底上形成由第一包层，有源层和第二包层构成的双异质结构来制造半导体激光器的工艺中，形成用于在两侧上选择性生长的保护膜。用于电流注入的条纹区域，在不蚀刻第二包覆层的情况下，在第二生长步骤中生长第三包覆层和用于电流注入的接触层，在第一生长步骤中形成的第二包覆层生长到所需的厚度。实现激光特性。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1993-09-13 |
| 专利号 | DE4331037A1 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | DE4331037 |
| 公开（公告）号 | DE4331037A1 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/227 | H01S5/40 | H01S3/19 | H01L21/20 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67390 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI KASEI CORP. TOKIO/TOKYO JP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | GOTOH HIDEKI,INOUE YUICHI,SHIMOYAMA KENJI. Halbleiterbauelement. DE4331037A1[P]. 1994-03-24. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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