半導体光素子および製造方法

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	半導体光素子および製造方法
其他题名	半導体光素子および製造方法
	伊賀龍三; 松本信一; 湯田正宏; 門田好晃
	1996-04-30
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	1996-04-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】漏れ電流の発生を防止する構造のメサストライプ領域を有する素子特性の良い半導体光素子およびこれを容易に作製し得る製造方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板1上に活性層2、クラッド層3およびコンタクト層4を順次積層し、絶縁体マスク5を通してエッチングを行ってメサストライプ領域Mを形成する。マスク5を除去し、半絶縁性高抵抗半導体からなる電流阻止層6をメサストライプ領域Mを挟む両側部に少なくともコンタクト層4の高さを上回る層厚分で形成する。メサストライプ領域Mおよびその周辺部を露出する半導体マスク7を通してコンタクト層4上の電流阻止層6に対してエッチングを施し、コンタクト層4を底面とし、電流阻止層6を側面とした溝構造を形成する。この溝構造の側面である電流阻止層6を絶縁体8で被覆し、コンタクト層4上に電極10を形成する。
其他摘要	目的：提供一种容易制造元件特性优异的半导体光学元件并具有台面条带区域的方法，该台面条带区域的结构可以防止发生漏电流。组成：有源层2，包层3和接触层4依次层叠在半导体衬底1上，半导体衬底1通过绝缘掩模进行蚀刻，以形成台面条区。去除掩模，并且在台面条区域的两侧上至少高于接触层4设置由半绝缘高电阻半导体形成的电流阻挡层6，以便将它夹在它们之间。通过暴露的半导体掩模蚀刻台面条纹区域及其附近，以去除沉积在接触层4上的电流阻挡层6，以形成沟槽形结构，其中接触层4用作底部和电流阻挡层6用作两个倾斜的侧面。作为上述槽形结构的侧面的电流阻挡层6覆盖有绝缘体8，并且电极10形成在接触层4上。
主权项	-
申请日期	1994-10-12
专利号	JP1996111565A
专利状态	失效
申请号	JP1994246214
公开（公告）号	JP1996111565A
IPC 分类号	H01L21/306 \| H01L33/16 \| H01L33/06 \| H01L33/30 \| H01L33/14 \| H01S5/00 \| H01L33/20 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	谷義一 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67332
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	伊賀龍三,松本信一,湯田正宏,等. 半導体光素子および製造方法. JP1996111565A[P]. 1996-04-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996111565A.PDF（180KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文