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Nonlinear optical element
其他题名Nonlinear optical element
YOKOGAWA TOSHIYA; OGURA MOTOTSUGU
1990-05-24
专利权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期1990-05-24
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To automate phase matching with high efficiency by forming a group II-VI compd. semiconductor consisting of a multiplex quantum well structure on a substrate consisting of a specified alloy. CONSTITUTION:An optical waveguide layer 12 is formed on a CaF2, SrF2, or (Ca,Sr)F2 substrate 11 from a group II-VI compd. semiconductor having a multiplex quantum well structure. The optical waveguide layer 12 is formed to a stripe with a ZnSO0.2Se0.8 single crystal thin film, and confines lateral light by its loaded structure. Since the substrate 11 is transparent for double higher harmonic light, phase matching of fundamental wave with double higher harmonic light generated by a nonlinear optical effect is possible utilizing Cherenkov radiation. As a result, the phase matching is facilitated automatically without requiring any precise temp. control.
其他摘要目的:通过形成II-VI组,实现高效自动化相位匹配。半导体由在由特定合金组成的衬底上的多重量子阱结构组成。组成:光波导层12形成在来自II-VI组的CaF2,SrF2或(Ca,Sr)F2衬底11上。具有多重量子阱结构的半导体。光波导层12用ZnSO0.2Se0.8单晶薄膜形成条纹,并通过其负载结构限制横向光。由于基板11对于双高次谐波光是透明的,因此利用切伦科夫辐射可以实现基波与由非线性光学效应产生的双高次谐波光的相位匹配。结果,相位匹配自动便利,而不需要任何精确的温度。控制。
主权项-
申请日期1988-11-17
专利号JP1990135428A
专利状态失效
申请号JP1988291196
公开(公告)号JP1990135428A
IPC 分类号G02F1/35 | G02F1/355 | G02F1/37 | H01L33/28 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67303
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
YOKOGAWA TOSHIYA,OGURA MOTOTSUGU. Nonlinear optical element. JP1990135428A[P]. 1990-05-24.
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