Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Nonlinear optical element | |
其他题名 | Nonlinear optical element |
YOKOGAWA TOSHIYA; OGURA MOTOTSUGU | |
1990-05-24 | |
专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
公开日期 | 1990-05-24 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To automate phase matching with high efficiency by forming a group II-VI compd. semiconductor consisting of a multiplex quantum well structure on a substrate consisting of a specified alloy. CONSTITUTION:An optical waveguide layer 12 is formed on a CaF2, SrF2, or (Ca,Sr)F2 substrate 11 from a group II-VI compd. semiconductor having a multiplex quantum well structure. The optical waveguide layer 12 is formed to a stripe with a ZnSO0.2Se0.8 single crystal thin film, and confines lateral light by its loaded structure. Since the substrate 11 is transparent for double higher harmonic light, phase matching of fundamental wave with double higher harmonic light generated by a nonlinear optical effect is possible utilizing Cherenkov radiation. As a result, the phase matching is facilitated automatically without requiring any precise temp. control. |
其他摘要 | 目的:通过形成II-VI组,实现高效自动化相位匹配。半导体由在由特定合金组成的衬底上的多重量子阱结构组成。组成:光波导层12形成在来自II-VI组的CaF2,SrF2或(Ca,Sr)F2衬底11上。具有多重量子阱结构的半导体。光波导层12用ZnSO0.2Se0.8单晶薄膜形成条纹,并通过其负载结构限制横向光。由于基板11对于双高次谐波光是透明的,因此利用切伦科夫辐射可以实现基波与由非线性光学效应产生的双高次谐波光的相位匹配。结果,相位匹配自动便利,而不需要任何精确的温度。控制。 |
主权项 | - |
申请日期 | 1988-11-17 |
专利号 | JP1990135428A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1988291196 |
公开(公告)号 | JP1990135428A |
IPC 分类号 | G02F1/35 | G02F1/355 | G02F1/37 | H01L33/28 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67303 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | YOKOGAWA TOSHIYA,OGURA MOTOTSUGU. Nonlinear optical element. JP1990135428A[P]. 1990-05-24. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1990135428A.PDF(326KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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