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Integrated type semiconductor laser element
其他题名Integrated type semiconductor laser element
ISHIKAWA MAKOTO
1992-10-12
专利权人日本電気株式会社
公开日期1992-10-12
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To obtain a small-sized greenish blue laser light source which can be modulated at a high speed and has a high efficiency. CONSTITUTION:GaAS/AlGaAs quantum well type semiconductor lasers 2, 3, and 4 and slab type optical waveguides 5 and 6 composed of ZeSe/ZnS distorted superlattices are monolithically formed on the same n-GaAsl substrate through a coupling grating 7. In addition, a dielectric film 12 which highly reflects exciting oscillation light and another dielectric film 11 which highly reflects exciting oscillation light but does not well reflect second harmonics are respectively formed on the end faces of the light emitting and wavelength converting sections. When such constitution is used, the exciting oscillation light of the wavelength converting section is two-dimensionally enclosed not only in an optical waveguide, but also in the axial direction between both dielectric films 11 and 12 having high reflectivity. Such structure yields a high internal light density which is effective for high-efficiency generation of second harmonics. As a result, greenish blue laser light is efficiently obtained from the output-side dielectric film 1
其他摘要目的:获得一种小型绿蓝激光光源,可以高速调制,效率高。组成:GaAS / AlGaAs量子阱型半导体激光器2,3和4以及由ZeSe / ZnS失真超晶格组成的平板型光波导5和6通过耦合光栅7单片地形成在同一n-GaAsl衬底上。此外,在发光和波长转换部分的端面上分别形成高度反射激发振荡光的介电膜12和高度反射激发振荡光但不能很好地反射二次谐波的另一介电膜11。当使用这种结构时,波长转换部分的激发振荡光不仅在光波导中二维封闭,而且在具有高反射率的两个介电膜11和12之间沿轴向二维封闭。这种结构产生高的内部光密度,这对于高效产生二次谐波是有效的。结果,从输出侧介电膜11有效地获得绿蓝色激光。
主权项-
申请日期1991-03-15
专利号JP1992287389A
专利状态失效
申请号JP1991077016
公开(公告)号JP1992287389A
IPC 分类号G02F1/37 | H01S5/00 | H01S5/026 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67277
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電気株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
ISHIKAWA MAKOTO. Integrated type semiconductor laser element. JP1992287389A[P]. 1992-10-12.
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JP1992287389A.PDF(266KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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