Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Integrated type semiconductor laser element | |
其他题名 | Integrated type semiconductor laser element |
ISHIKAWA MAKOTO | |
1992-10-12 | |
专利权人 | 日本電気株式会社 |
公开日期 | 1992-10-12 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To obtain a small-sized greenish blue laser light source which can be modulated at a high speed and has a high efficiency. CONSTITUTION:GaAS/AlGaAs quantum well type semiconductor lasers 2, 3, and 4 and slab type optical waveguides 5 and 6 composed of ZeSe/ZnS distorted superlattices are monolithically formed on the same n-GaAsl substrate through a coupling grating 7. In addition, a dielectric film 12 which highly reflects exciting oscillation light and another dielectric film 11 which highly reflects exciting oscillation light but does not well reflect second harmonics are respectively formed on the end faces of the light emitting and wavelength converting sections. When such constitution is used, the exciting oscillation light of the wavelength converting section is two-dimensionally enclosed not only in an optical waveguide, but also in the axial direction between both dielectric films 11 and 12 having high reflectivity. Such structure yields a high internal light density which is effective for high-efficiency generation of second harmonics. As a result, greenish blue laser light is efficiently obtained from the output-side dielectric film 1 |
其他摘要 | 目的:获得一种小型绿蓝激光光源,可以高速调制,效率高。组成:GaAS / AlGaAs量子阱型半导体激光器2,3和4以及由ZeSe / ZnS失真超晶格组成的平板型光波导5和6通过耦合光栅7单片地形成在同一n-GaAsl衬底上。此外,在发光和波长转换部分的端面上分别形成高度反射激发振荡光的介电膜12和高度反射激发振荡光但不能很好地反射二次谐波的另一介电膜11。当使用这种结构时,波长转换部分的激发振荡光不仅在光波导中二维封闭,而且在具有高反射率的两个介电膜11和12之间沿轴向二维封闭。这种结构产生高的内部光密度,这对于高效产生二次谐波是有效的。结果,从输出侧介电膜11有效地获得绿蓝色激光。 |
主权项 | - |
申请日期 | 1991-03-15 |
专利号 | JP1992287389A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1991077016 |
公开(公告)号 | JP1992287389A |
IPC 分类号 | G02F1/37 | H01S5/00 | H01S5/026 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67277 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 日本電気株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ISHIKAWA MAKOTO. Integrated type semiconductor laser element. JP1992287389A[P]. 1992-10-12. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1992287389A.PDF(266KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[ISHIKAWA MAKOTO]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[ISHIKAWA MAKOTO]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[ISHIKAWA MAKOTO]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论