Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面発光型半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 面発光型半導体発光素子 |
| 神山 博幸 | |
| 1999-04-30 | |
| 专利权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 公开日期 | 1999-04-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】制御端子を含む3端子を備えた面発光型半導体発光素子を提供する。 【解決手段】基板上に積層されたp型半導体薄膜、i型薄膜またはn型半導体薄膜により構成されたnpn構造、nipin構造またはnipn構造を含む第1電流路15a、16a、17aと、第1電流路に対して基板側に積層された第1のコンタクト層13a、と、基板に対して第1電流路よりも上層に積層された第2のコンタクト層18と、第2のコンタクト層上に装荷されたnpn構造、nipin構造またはnipn構造を含む第2電流路15b、16b、17bと、第2電流路上に積層された第3のコンタクト層13bとを備え、第1電流路および第2電流路の少なくとも一方が発光部を含む。 |
| 其他摘要 | 提供一种具有包括控制端子的三个端子的表面发射半导体发光器件。 第一电流路径，包括npn结构，nipin结构或nipn结构，并且由堆叠在基板上的p型半导体薄膜，i型薄膜或n型半导体薄膜形成;相对于电流路径层叠在基板侧的第一接触层13a，在第一电流路径的上层中堆叠在基板上的第二接触层18，以及第二接触层包括加载的npn结构，nipin结构或nipn结构的第二电流路径15b，16b，17b，以及层叠在第二电流路径上的第三接触层13b，其中第一电流路径和第二电流至少一个路径包括发光部分。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1997-10-15 |
| 专利号 | JP1999121875A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997297856 |
| 公开（公告）号 | JP1999121875A |
| IPC 分类号 | E02D3/12 | H01L33/46 | H01L33/02 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 越場 隆 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67135 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神山 博幸. 面発光型半導体発光素子. JP1999121875A[P]. 1999-04-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999121875A.PDF（200KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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