一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器

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	一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器
其他题名	一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器
	赵英杰; 刘学东; 万灵敏; 张建家; 侯立峰; 晏长岭; 冯源; 郝永芹; 李占国; 李特; 赵博; 戈红丽; 赵宇斯; 刘羽; 金国烈; 许鹏
	2012-12-19
专利权人	长春理工大学
公开日期	2012-12-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器及其制作方法，属于半导体激光器制造技术领域。相关的现有技术采用p型与n型电极均为内腔接触式的，但其电极只在p侧引入，以减少双侧DBR电阻。该技术存在的主要问题是，p型与n型电极开在同一侧，其电极不可能制备成封闭环形，由于是半环型，电流的分配不对称，注入载流子诱发光子形成的光场分布不均匀。本发明提出的激光器结构， p型与n型电极在器件两侧，形成双内腔接触式结构，使注入电流绕过p型DBR和n型DBR直接进入有源区；同时n侧采用框架支撑结构及其制作方法，解决了形成n型电极窗口的刻蚀过程中，器件结构连接强度不足所造成的有源区崩落问题。
其他摘要	一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器及其制作方法，属于半导体激光器制造技术领域。相关的现有技术采用p型与n型电极均为内腔接触式的，但其电极只在p侧引入，以减少双侧DBR电阻。该技术存在的主要问题是，p型与n型电极开在同一侧，其电极不可能制备成封闭环形，由于是半环型，电流的分配不对称，注入载流子诱发光子形成的光场分布不均匀。本发明提出的激光器结构， p型与n型电极在器件两侧，形成双内腔接触式结构，使注入电流绕过p型DBR和n型DBR直接进入有源区；同时n侧采用框架支撑结构及其制作方法，解决了形成n型电极窗口的刻蚀过程中，器件结构连接强度不足所造成的有源区崩落问题。
主权项	一种双内腔接触式n面出光框架支撑结构面发射半导体激光器，其特征在于，所述激光器包括： P型电极（1），p型DBR（2），p型欧姆接触层（3），氧化限制层（4），p型限制层（5），有源区（6），n型限制层（7），n型欧姆接触层（8），n型DBR（9），缓冲层（10），衬底（11），增透膜（12），n型电极（13），刻蚀区域（14），框架支撑结构（15）。
申请日期	2012-09-14
专利号	CN102832537A
专利状态	失效
申请号	CN201210341667.9
公开（公告）号	CN102832537A
IPC 分类号	H01S5/187 \| H01S5/042
专利代理人	刘玉仁
代理机构	长春市四环专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67075
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	赵英杰,刘学东,万灵敏,等. 一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器. CN102832537A[P]. 2012-12-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102832537A.PDF（449KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文