低相干半导体激光器及其制备方法

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	低相干半导体激光器及其制备方法
其他题名	低相干半导体激光器及其制备方法
	罗宁一; 何克祥; 范辉; 季朝华; 刘理; 何骏
	2011-12-28
专利权人	维林光电(苏州)有限公司
公开日期	2011-12-28
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明揭示了一种基于PIC技术的低相干半导体激光器及其制备方法，激光器模块由半导体激光器，驱动回路，射频（RF）驱动电流，及自动功率控制系统组成。其制备方法包括以下步骤：以射频范围的频率产生交替变化的驱动电流输入到半导体激光器；将一部分激光束导入具有响应时间超过100ns的光探测器，光探测器隔离大量杂散光及其他光反馈噪声；通过光探测器接收的激光束产生实时响应的电子信号，向DC和AC电流提供电子反馈信号，调整驱动电流偏压。本发明能产生性能很好的低相干半导体激光器。
其他摘要	本发明揭示了一种基于PIC技术的低相干半导体激光器及其制备方法，激光器模块由半导体激光器，驱动回路，射频（RF）驱动电流，及自动功率控制系统组成。其制备方法包括以下步骤：以射频范围的频率产生交替变化的驱动电流输入到半导体激光器；将一部分激光束导入具有响应时间超过100ns的光探测器，光探测器隔离大量杂散光及其他光反馈噪声；通过光探测器接收的激光束产生实时响应的电子信号，向DC和AC电流提供电子反馈信号，调整驱动电流偏压。本发明能产生性能很好的低相干半导体激光器。
主权项	一种运用PIC技术的低相干半导体激光器制备方法，PIC技术源于光反馈和射频调制原理，所述低相干半导体激光器改善半导体激光器的时间和光谱稳定性及基于低散斑的光束均匀性；所述低时间相干性基于随射频调制而改变的纵向模式，光谱的加宽和光谱稳定性的提高；所述基于低散斑的且与低空间相干相关的光束均匀性基于不断扰动的横向模式；其特征在于包括以下步骤：步骤一：用射频范围的频率产生交替变化的驱动电流；步骤二：输入驱动电流到半导体激光器，将一部分激光束导入具有响应时间超过100 ns的光探测器，所述光探测器分离大量杂散光及其他光反馈噪声；步骤三：通过光探测器接收的激光束产生实时响应的电子反馈信号；步骤四：向DC和AC电流提供电子反馈信号，调整驱动电流偏压；所述激光器是连续式操作的，从而产生低相干性、时间和光谱稳定、以及空间照度均匀的输出激光束。
申请日期	2011-07-19
专利号	CN102299477A
专利状态	失效
申请号	CN201110201113.4
公开（公告）号	CN102299477A
IPC 分类号	H01S5/068
专利代理人	陆明耀 \| 何朝旭
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67016
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	维林光电(苏州)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	罗宁一,何克祥,范辉,等. 低相干半导体激光器及其制备方法. CN102299477A[P]. 2011-12-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102299477A.PDF（1564KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文