在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法

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	在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法
其他题名	在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法
	于红艳; 周旭亮; 邵永波; 袁丽君; 王宝军; 潘教青; 王圩
	2012-08-15
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2012-08-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法，包括如下步骤：在SOI片最上的硅层上刻蚀出硅波导和两侧的硅挡墙结构；在硅波导上横向刻蚀出多个沟槽；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，形成SOI波导结构；在一衬底上生长III-V族半导体激光器结构；在N、P面制作金属电极；在形成的激光器结构N面金属电极上光刻腐蚀出光耦合窗口，形成键合激光器结构；将SOI波导结构和键合激光器结构键合到一起。本发明中通过采用普通光刻和反应离子刻蚀(RIE)方法在硅波导上制作一定尺寸的沟槽来实现单模激射，具有低成本、工艺简单、宽温度工作范围、高可靠性等优点。
其他摘要	一种在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法，包括如下步骤：在SOI片最上的硅层上刻蚀出硅波导和两侧的硅挡墙结构；在硅波导上横向刻蚀出多个沟槽；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，形成SOI波导结构；在一衬底上生长III-V族半导体激光器结构；在N、P面制作金属电极；在形成的激光器结构N面金属电极上光刻腐蚀出光耦合窗口，形成键合激光器结构；将SOI波导结构和键合激光器结构键合到一起。本发明中通过采用普通光刻和反应离子刻蚀(RIE)方法在硅波导上制作一定尺寸的沟槽来实现单模激射，具有低成本、工艺简单、宽温度工作范围、高可靠性等优点。
主权项	一种在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法，包括如下步骤：步骤1：在SOI片最上的硅层上刻蚀出硅波导和两侧的硅挡墙结构；步骤2：在所制作的硅波导上横向刻蚀出多个沟槽；步骤3：采用金属剥离方法，在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，形成SOI波导结构；步骤4：在一衬底上采用MOCVD的方法生长III-V族半导体激光器结构；步骤5：在III-V族半导体激光器结构的N面制作金属电极，P面制作金属电极；步骤6：在形成的激光器结构N面金属电极上光刻腐蚀出光耦合窗口，形成键合激光器结构；步骤7：将SOI波导结构和键合激光器结构，采用选区金属键合的方法，键合到一起，完成硅基混合激光器的制备。
申请日期	2012-04-20
专利号	CN102638000A
专利状态	失效
申请号	CN201210119276.2
公开（公告）号	CN102638000A
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01S5/24
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67014
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	于红艳,周旭亮,邵永波,等. 在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法. CN102638000A[P]. 2012-08-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102638000A.PDF（348KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文