Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化镓基激光二极管及其制备方法 | |
| 其他题名 | 氮化镓基激光二极管及其制备方法 |
冯向旭; 张洁 ; 叶孟欣; 刘建明; 徐宸科
| |
| 2015-11-11 | |
| 专利权人 | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 公开日期 | 2015-11-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开一种氮化镓基激光二极管及其制作方法，包括：衬底、n型层、n型限制层、n型波导层、有源层、p型波导层、p型限制层和p型层，其特征在于：所述n型限制层包括第一n型限制层和第二n型限制层构成的堆叠结构。采用AlN/AlGaN超晶格作为n型限制层底层，可以有效地提高n型限制层的Al组分，降低激光器激射阈值；有效地预防外延层开裂，提高产品良率。 |
| 其他摘要 | 本发明公开一种氮化镓基激光二极管及其制作方法，包括：衬底、n型层、n型限制层、n型波导层、有源层、p型波导层、p型限制层和p型层，其特征在于：所述n型限制层包括第一n型限制层和第二n型限制层构成的堆叠结构。采用AlN/AlGaN超晶格作为n型限制层底层，可以有效地提高n型限制层的Al组分，降低激光器激射阈值；有效地预防外延层开裂，提高产品良率。 |
| 主权项 | 氮化镓基激光二极管，包括：衬底、n型层、n型限制层、n型波导层、有源层、p型波导层、p型限制层和p型层，其特征在于：所述n型限制层包括第一n型限制层和第二n型限制层构成的堆叠结构。 |
| 申请日期 | 2015-09-11 |
| 专利号 | CN105048286A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201510576295.1 |
| 公开（公告）号 | CN105048286A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66934 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯向旭,张洁,叶孟欣,等. 氮化镓基激光二极管及其制备方法. CN105048286A[P]. 2015-11-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105048286A.PDF（288KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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