半导体激光近、远场分布观测装置

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	半导体激光近、远场分布观测装置
其他题名	半导体激光近、远场分布观测装置
	王晓华; 王勇; 赵英杰; 姜晓光; 刘波
	2006-08-23
专利权人	长春理工大学
公开日期	2006-08-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	半导体激光近、远场分布观测装置属于半导体激光器器件测试技术领域。现有技术是将激光近、远场分布光斑转换为电信号后进行测试，缺乏直观性；另外，在远场分布测试上缺乏确定的方案，在列阵芯片测试方面手段欠便捷，效率低。本发明采用光学透镜系统和变像管这两个主要观测部件，并可构成两种工作状态，从而可以通过肉眼直接观测，包括单芯、阵列芯片的近、远场分布。本发明可应用半导体物理的教学和科研领域，还可以应用于半导体激光器器件的生产领域。
其他摘要	半导体激光近、远场分布观测装置属于半导体激光器器件测试技术领域。现有技术是将激光近、远场分布光斑转换为电信号后进行测试，缺乏直观性；另外，在远场分布测试上缺乏确定的方案，在列阵芯片测试方面手段欠便捷，效率低。本发明采用光学透镜系统和变像管这两个主要观测部件，并可构成两种工作状态，从而可以通过肉眼直接观测，包括单芯、阵列芯片的近、远场分布。本发明可应用半导体物理的教学和科研领域，还可以应用于半导体激光器器件的生产领域。
主权项	一种半导体激光近、远场分布观测装置，其特征在于： ①在底座(1)的中部安置有支柱(2)，载物台(3)固定在支柱(2)的上部，待测芯片(4)搁置在载物台(3)上； ②在底座(1)的一侧固定有支杆(5)，光学投影系统(6)由摆臂(7)连接在支杆(5)上，由连杆(8)将变像管(9)保持在芯片(4)的上方，连杆(8)的另一端连接在支杆(5)上； ③当观测近场分布时，光学投影系统(6)保持在芯片(4)的上方，变像管(9)保持在光学投影系统(6)的上方； ④当观测远场分布时，摆臂(7)绕支杆(5)摆动，将光学投影系统(6)从芯片(4)上方移开，连杆(8)沿支杆(5)下移，使变像管(9)接近芯片(4)。
申请日期	2006-02-13
专利号	CN1821798A
专利状态	失效
申请号	CN200610007505.6
公开（公告）号	CN1821798A
IPC 分类号	G01R31/26 \| G01N21/84 \| H01L33/00 \| G01M11/00 \| G01R31/00
专利代理人	曲博
代理机构	中国兵器工业集团公司专利中心
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66914
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓华,王勇,赵英杰,等. 半导体激光近、远场分布观测装置. CN1821798A[P]. 2006-08-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1821798A.PDF（361KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文