带有边缘耦合器的硅光子低回波损耗封装结构

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	带有边缘耦合器的硅光子低回波损耗封装结构
其他题名	带有边缘耦合器的硅光子低回波损耗封装结构
	张宁; 石拓; 邵永波; 苏宗一; 潘栋
	2017-08-18
专利权人	硅光电科技股份有限公司
公开日期	2017-08-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种在分布式反馈激光二极管(DFB‑LD)和硅光子集成电路芯片(Si PIC)边缘耦合器之间耦合的具有低回波损耗的新颖、紧凑且高效的封装结构，包括：DFB‑LD；Si PIC，其包括至少一个输入边缘耦合器和至少一个输出边缘耦合器；硅石罩盖，其设置在所述硅光子集成电路芯片的顶部并且与所述硅光子集成电路芯片边对边对齐；单模光纤，其对齐所述至少一个输出边缘耦合器；透镜，其设置在所述分布式反馈激光器和所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输入边缘耦合器之间；和隔离器，其采用折射率匹配流体结合到所述至少一个输入边缘耦合器的刻面。所述透镜配置成最小化所述分布式反馈激光二极管的输出光斑尺寸和所述硅光子集成电路芯片的至少一个输入边缘耦合器的光斑尺寸之间的不匹配。
其他摘要	本发明提供了一种在分布式反馈激光二极管(DFB‑LD)和硅光子集成电路芯片(Si PIC)边缘耦合器之间耦合的具有低回波损耗的新颖、紧凑且高效的封装结构，包括：DFB‑LD；Si PIC，其包括至少一个输入边缘耦合器和至少一个输出边缘耦合器；硅石罩盖，其设置在所述硅光子集成电路芯片的顶部并且与所述硅光子集成电路芯片边对边对齐；单模光纤，其对齐所述至少一个输出边缘耦合器；透镜，其设置在所述分布式反馈激光器和所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输入边缘耦合器之间；和隔离器，其采用折射率匹配流体结合到所述至少一个输入边缘耦合器的刻面。所述透镜配置成最小化所述分布式反馈激光二极管的输出光斑尺寸和所述硅光子集成电路芯片的至少一个输入边缘耦合器的光斑尺寸之间的不匹配。
主权项	一种光学封装结构，包括：分布式反馈激光二极管；硅光子集成电路芯片，其具有至少一个输入边缘耦合器和至少一个输出边缘耦合器；硅石罩盖，其设置在所述硅光子集成电路芯片上并且与所述硅光子集成电路芯片边对边对齐；单模光纤，其对齐所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输出边缘耦合器；透镜，其设置在所述分布式反馈激光器和所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输入边缘耦合器之间，所述透镜配置成最小化所述分布式反馈激光二极管的输出光斑尺寸和所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输入边缘耦合器的光斑尺寸之间的不匹配；和隔离器，其采用第一容量的折射率匹配流体结合到所述至少一个输入边缘耦合器的刻面。
申请日期	2017-01-25
专利号	CN107065082A
专利状态	授权
申请号	CN201710056360.7
公开（公告）号	CN107065082A
IPC 分类号	G02B6/42
专利代理人	许天易
代理机构	北京京万通知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66894
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	硅光电科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张宁,石拓,邵永波,等. 带有边缘耦合器的硅光子低回波损耗封装结构. CN107065082A[P]. 2017-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107065082A.PDF（608KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文