铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法

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	铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法
其他题名	铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法
	代丽; 徐超; 刘春蕊
	2016-10-12
专利权人	哈尔滨理工大学
公开日期	2016-10-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决。产品：由Nb2O5、LiCO3、HfO2和Dy2O3制成。方法：一、混合四种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Hf:Dy:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Dy:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高，能够做为激光晶体材料；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快；这种晶体材料可在制备紧凑型、激光二极管泵浦、全固态可调谐激光器应用前景广阔，此外对高密度存储、制备集成光学器件、红外探测也具有重要意义。
其他摘要	铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决。产品：由Nb2O5、LiCO3、HfO2和Dy2O3制成。方法：一、混合四种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Hf:Dy:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Dy:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高，能够做为激光晶体材料；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快；这种晶体材料可在制备紧凑型、激光二极管泵浦、全固态可调谐激光器应用前景广阔，此外对高密度存储、制备集成光学器件、红外探测也具有重要意义。
主权项	铪镝双掺杂铌酸锂晶体，其特征在于它由Nb2O5、LiCO3、HfO2和Dy2O3制成；其中所述LiCO3中的Li与Nb2O5中的Nb的摩尔比为0.946:1，Dy2O3的掺杂摩尔量占四种原料总摩尔量的0.5%，HfO2的掺杂摩尔量占四种原料总摩尔量的8%。
申请日期	2016-06-12
专利号	CN106012019A
专利状态	失效
申请号	CN201610415223.3
公开（公告）号	CN106012019A
IPC 分类号	C30B29/30 \| C30B15/00 \| C30B33/04
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66799
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	哈尔滨理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	代丽,徐超,刘春蕊. 铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法. CN106012019A[P]. 2016-10-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106012019A.PDF（169KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文