一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构

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	一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构
其他题名	一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构
	乔忠良; 李占国; 薄报学; 高欣; 张晶; 李特; 李林; 李辉; 王勇; 曲轶
	2015-02-04
专利权人	长春理工大学
公开日期	2015-02-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，包括：一衬底，在该层结构上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层生长在衬底上，为N型砷化镓材料；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下N型下波导层，该N型下波导层生长在下限制层上；一多量子阱层，该多量子阱层生长在下波导层上；一P型上波导层，该P型上波导层生长在多量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层生长在P型上波导层上；一P型高掺杂层，该P型高掺杂层生长在P型上限制层上，形成大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器半导体激光器结构。
其他摘要	一种大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，包括：一衬底，在该层结构上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层生长在衬底上，为N型砷化镓材料；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下N型下波导层，该N型下波导层生长在下限制层上；一多量子阱层，该多量子阱层生长在下波导层上；一P型上波导层，该P型上波导层生长在多量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层生长在P型上波导层上；一P型高掺杂层，该P型高掺杂层生长在P型上限制层上，形成大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器半导体激光器结构。
主权项	一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，包括：一衬底，在该层结构上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层生长在衬底上，为N型砷化镓材料；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下N型下波导层，该N型下波导层生长在下限制层上；一多量子阱层，该多量子阱层生长在下波导层上；一P型上波导层，该P型上波导层生长在多量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层生长在P型上波导层上；一P型高掺杂层，该P型高掺杂层生长在P型上限制层上，形成大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器半导体激光器结构。
申请日期	2014-11-20
专利号	CN104332826A
专利状态	失效
申请号	CN201410674455.1
公开（公告）号	CN104332826A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/22 \| H01S5/183
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66788
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	乔忠良,李占国,薄报学,等. 一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构. CN104332826A[P]. 2015-02-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104332826A.PDF（304KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文