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波导近场光记录读写头
其他题名波导近场光记录读写头
裴先登; 黄俊; 谢长生; 黄浩
1999-08-11
专利权人华中理工大学
公开日期1999-08-11
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要波导近场光记录读写头,包括受光器件、浮动块、半导体激光器及与之相耦合的锥形无源波导,锥形无源波导出光端位于浮动块最低点、出光端口截面积小于半导休激光器后端面的截面积;锥形无源波导芯层为高折射率材料,包层为低折叠率材料,折射率差≥0.5,半导体激光器可采用T形F-P腔半导体激光器,也可选用DFB半导体激光器。本发明可将光斑尺寸缩小至几十纳米,极大提高了光记录的密度并可提高寻道速度。
其他摘要波导近场光记录读写头,包括受光器件、浮动块、半导体激光器及与之相耦合的锥形无源波导,锥形无源波导出光端位于浮动块最低点、出光端口截面积小于半导休激光器后端面的截面积;锥形无源波导芯层为高折射率材料,包层为低折叠率材料,折射率差≥0.5,半导体激光器可采用T形F-P腔半导体激光器,也可选用DFB半导体激光器。本发明可将光斑尺寸缩小至几十纳米,极大提高了光记录的密度并可提高寻道速度。
主权项一种波导近场光记录读写头,包括受光器件、浮动块、半导体激光器和无源波导;半导体激光器与无源波导相耦合,无源波导出光端位于浮动块的最低点,其特征是: (1)所述无源波导为锥形无源波导、其横截面斜边形状可以为直线段、折线段或曲线,它与半导体激光器耦合形成锥形无源波导集成器件,该锥形无源波导集成器件的出光端口截面面积小于锥形无源波导集成器件中半导体激光器后端面的截面面积; (2)锥形无源波导的芯层为高折射率材料,包层为低折射率材料,芯层材料和包层材料的折射率差≥0.5。
申请日期1999-02-01
专利号CN1225488A
专利状态失效
申请号CN99116336.2
公开(公告)号CN1225488A
IPC 分类号G11B7/124 | G11B7/22 | G11B7/12
专利代理人方放 | 朱仁玲
代理机构华中理工大学专利事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66563
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华中理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
裴先登,黄俊,谢长生,等. 波导近场光记录读写头. CN1225488A[P]. 1999-08-11.
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