一种半导体激光器腔面钝化方法

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	一种半导体激光器腔面钝化方法
其他题名	一种半导体激光器腔面钝化方法
	高欣; 薄报学; 乔忠良; 张晶; 李占国; 李辉; 李特; 曲轶
	2016-06-01
专利权人	长春理工大学
公开日期	2016-06-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种半导体激光器腔面钝化方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效满足高功率半导体激光器腔面钝化的技术要求，使半导体激光器在高功率条件下的工作稳定性受到限制。本发明采用短波激光激发钝化气体分子离化，在较低的温度条件下使钝化气体与GaAs半导体激光器腔面发生化学反应，生成具有高化学稳定性的表面层，该表面层对GaAs半导体激光器腔面的内部结构起到保护作用，从而改善GaAs半导体激光器腔面在环境气氛中高功率工作的可靠性。该方法可应用于各类GaAs基高功率半导体激光器的制造。
其他摘要	一种半导体激光器腔面钝化方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效满足高功率半导体激光器腔面钝化的技术要求，使半导体激光器在高功率条件下的工作稳定性受到限制。本发明采用短波激光激发钝化气体分子离化，在较低的温度条件下使钝化气体与GaAs半导体激光器腔面发生化学反应，生成具有高化学稳定性的表面层，该表面层对GaAs半导体激光器腔面的内部结构起到保护作用，从而改善GaAs半导体激光器腔面在环境气氛中高功率工作的可靠性。该方法可应用于各类GaAs基高功率半导体激光器的制造。
主权项	一种半导体激光器腔面钝化方法，其特征在于，采用短波长激光（6）激发钝化气体分子（4）离化，在较低的温度条件下使钝化气体与GaAs半导体激光器腔面发生化学反应，生成具有高化学稳定性的表面层（2），该表面层（2）对GaAs半导体激光器腔面的内部结构起到保护作用，从而改善GaAs半导体激光器腔面在环境气氛中高功率工作的可靠性。
申请日期	2016-03-28
专利号	CN105633793A
专利状态	申请中
申请号	CN201610184070
公开（公告）号	CN105633793A
IPC 分类号	H01S5/028
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66560
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	高欣,薄报学,乔忠良,等. 一种半导体激光器腔面钝化方法. CN105633793A[P]. 2016-06-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105633793A.PDF（58KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文