Ba1－xMgLiGaMxFBr1－ySy∶Rez,Ag0.1光存储发光材料及其制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Ba1－xMgLiGaMxFBr1－ySy∶Rez,Ag0.1光存储发光材料及其制备方法
其他题名	Ba1－xMgLiGaMxFBr1－ySy∶Rez,Ag0.1光存储发光材料及其制备方法
	李岚; 张晓松; 李江勇; 张艳芳; 董冬青; 庄晋燕
	2008-05-28
专利权人	天津理工大学
公开日期	2008-05-28
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、银离子共激活的Ba1－xMgLiGaMxFBr1－ySy∶Rez，Ag0.1光存储发光材料。本发明还提供了该及光存储发光材料的制备方法。本发明的新型光存储发光材料，所匹配的波长段为650纳米－1000纳米之间的一个可调节宽带，适合这一波段所有的半导体激光器作为其匹配的激励光源。大大提高了利用该样品涂覆制成的x线影像板的使用方便性，增加了选择匹配激励光源的弹性范围。特别是通过聚合物表面包覆进一步提高了其发光性能。
其他摘要	本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、银离子共激活的Ba1－xMgLiGaMxFBr1－ySy∶Rez，Ag0.1光存储发光材料。本发明还提供了该及光存储发光材料的制备方法。本发明的新型光存储发光材料，所匹配的波长段为650纳米－1000纳米之间的一个可调节宽带，适合这一波段所有的半导体激光器作为其匹配的激励光源。大大提高了利用该样品涂覆制成的x线影像板的使用方便性，增加了选择匹配激励光源的弹性范围。特别是通过聚合物表面包覆进一步提高了其发光性能。
主权项	一种Ba1-xMgLiGaMxFBr1-ySy:Rez，Ag0.1光存储发光材料，其特征在于所说的原料选用纯度为分析纯，包括BaCO3，MgCO3，LiCO3，Ga2O3，AgNO3，NH4F，NH4Br，硫粉，稀土离子Re的来源，是由其氧化物，卤化物，硝酸盐或硫酸盐其中之一所提供的；所掺入四价金属离子M的来源，是由其氧化物，卤化物或碳酸盐其中之一所提供的，溶剂为水或乙醇，表面包覆材料为甲基丙烯酸甲脂；其化学表达式为： Ba1-xMgLiGaMxFBr1-ySy:Rez，Ag0.1 其中，M为Si，Ge，Pb，Ti中的一种元素； Re为稀土离子：La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb或Lu中的一种； x，y，z的取值范围为：0.0001＜x≤0.7，0.0001＜y≤0.7；0.0001＜z≤1。
申请日期	2007-12-17
专利号	CN101186822A
专利状态	失效
申请号	CN200710151095.7
公开（公告）号	CN101186822A
IPC 分类号	C09K11/85
专利代理人	廖晓荣
代理机构	天津佳盟知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66515
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	天津理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李岚,张晓松,李江勇,等. Ba1－xMgLiGaMxFBr1－ySy∶Rez,Ag0.1光存储发光材料及其制备方法. CN101186822A[P]. 2008-05-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101186822A.PDF（298KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文