氧化侷限型半導體雷射製作方法

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	氧化侷限型半導體雷射製作方法
其他题名	氧化侷限型半導體雷射製作方法
	李柏霖; 吳俊翰; 潘金山; 賴鴻慶
	2005-03-16
专利权人	光環科技股份有限公司
公开日期	2005-03-16
授权国家	中国台湾
专利类型	发明申请
摘要	本發明係關於一種氧化侷限型半導體雷射製作方法，係為一直接在半導體材料架構上，以雙平台同步製作發光主動區與打線區之氧化侷限型垂直腔面射型雷射製程；利用金屬保護材料、導電金屬材料與可蝕刻之介電材料，結合蝕刻製程、氧化侷限技術與鍍層技術來製作，包括半導體材料上進行發光主動區與打線區之雙平台製作、氧化層製作、介電層製作、保護層製作及金屬層製作；而完成一氧化侷限型垂直共振腔面射型雷射。前述發光主動區平台與打線區平台可獨立被設計，且打線區平台製作在半導體架構上，可藉由離子佈植調整電容值，同時打線強度較高，更可由填充於雙平台外側之介電層，降低連線金屬電容，且易於獲得平坦化利於金屬層製作。
其他摘要	本發明係關於一種氧化侷限型半導體雷射製作方法，係為一直接在半導體材料架構上，以雙平台同步製作發光主動區與打線區之氧化侷限型垂直腔面射型雷射製程；利用金屬保護材料、導電金屬材料與可蝕刻之介電材料，結合蝕刻製程、氧化侷限技術與鍍層技術來製作，包括半導體材料上進行發光主動區與打線區之雙平台製作、氧化層製作、介電層製作、保護層製作及金屬層製作；而完成一氧化侷限型垂直共振腔面射型雷射。前述發光主動區平台與打線區平台可獨立被設計，且打線區平台製作在半導體架構上，可藉由離子佈植調整電容值，同時打線強度較高，更可由填充於雙平台外側之介電層，降低連線金屬電容，且易於獲得平坦化利於金屬層製作。
主权项	-
申请日期	2004-12-15
专利号	TW200511674A
专利状态	授权
申请号	TW093138837
公开（公告）号	TW200511674A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66508
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	光環科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李柏霖,吳俊翰,潘金山,等. 氧化侷限型半導體雷射製作方法. TW200511674A[P]. 2005-03-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
TW200511674A.PDF（3010KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文