通过内层电子激发由石墨制造钻石的方法

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	通过内层电子激发由石墨制造钻石的方法
其他题名	通过内层电子激发由石墨制造钻石的方法
	吉田博; 中山博幸
	2005-08-17
专利权人	独立行政法人科学技术振兴机构
公开日期	2005-08-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	于常温、常压下，实现任一种的激发状态，采用此状态，若能使稳定构造由石墨构造逆转成钻石构造时，则采用激发状态，可简单的使石墨进行钻石化。此若予实现时，则可被期待应用于纳米技术或短波长高输出功半导体激光器，高输出功电子设备方面。在常压状态由照射放射线X射线、放射线、激光器光、电子射束或加速多价离子的任一种至使能激发构成由sp2构造而成的石墨的单晶或多晶的碳原子(C)的1s内层电子，由sp2构造的石墨制作出sp3构造的钻石为特征的钻石的制造方法。使价廉且大量的制造石墨单晶、多晶或纳米构造钻石成为可能的。
其他摘要	于常温、常压下，实现任一种的激发状态，采用此状态，若能使稳定构造由石墨构造逆转成钻石构造时，则采用激发状态，可简单的使石墨进行钻石化。此若予实现时，则可被期待应用于纳米技术或短波长高输出功半导体激光器，高输出功电子设备方面。在常压状态由照射放射线X射线、放射线、激光器光、电子射束或加速多价离子的任一种至使能激发构成由sp2构造而成的石墨的单晶或多晶的碳原子(C)的1s内层电子，由sp2构造的石墨制作出sp3构造的钻石为特征的钻石的制造方法。使价廉且大量的制造石墨单晶、多晶或纳米构造钻石成为可能的。
主权项	一种通过内层电子激发由石墨制造钻石的方法，其特征在于，在常压状态由照射放射线X射线、放射线、激光器光、电子射束或加速多价离子的任一种，至使能激发构成由sp2构造而成的石墨的单晶或多晶的碳原子(C)的1s内层电子，由sp2构造的石墨制作出sp3构造的钻石而成。
申请日期	2003-05-22
专利号	CN1656031A
专利状态	失效
申请号	CN03812329.0
公开（公告）号	CN1656031A
IPC 分类号	C01B31/06 \| C30B1/00 \| C30B29/04 \| C03B29/04
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66412
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	独立行政法人科学技术振兴机构
推荐引用方式 GB/T 7714	吉田博,中山博幸. 通过内层电子激发由石墨制造钻石的方法. CN1656031A[P]. 2005-08-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1656031A.PDF（839KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文