一种利用GaN基激光二极管泵浦稀土离子掺杂激光材料实现激光及其倍频激光的方法

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	一种利用GaN基激光二极管泵浦稀土离子掺杂激光材料实现激光及其倍频激光的方法
其他题名	一种利用GaN基激光二极管泵浦稀土离子掺杂激光材料实现激光及其倍频激光的方法
	张庆礼; 彭方; 刘文鹏; 罗建乔; 孙贵花; 孙敦陆; 殷绍唐; 张德明; 李秀丽
	2016-05-11
专利权人	中国科学院合肥物质科学研究院
公开日期	2016-05-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种利用GaN基激光二极管泵浦稀土离子掺杂激光材料实现激光及其倍频激光的方法,该方法给出了以氧化物晶体或透明陶瓷作为激光材料，以新的吸收泵浦通道和激光通道，采用GaN基激光二极管泵浦获得可见、近红外等波段激光，由此获得的可见激光可通过二倍频、三倍频而获得紫外、深紫外激光，对于发展新波段紫外激光、提高紫外固体激光的效率、功率等具有重要意义。
其他摘要	本发明公开了一种利用GaN基激光二极管泵浦稀土离子掺杂激光材料实现激光及其倍频激光的方法,该方法给出了以氧化物晶体或透明陶瓷作为激光材料，以新的吸收泵浦通道和激光通道，采用GaN基激光二极管泵浦获得可见、近红外等波段激光，由此获得的可见激光可通过二倍频、三倍频而获得紫外、深紫外激光，对于发展新波段紫外激光、提高紫外固体激光的效率、功率等具有重要意义。
主权项	一种利用GaN基激光二极管泵浦稀土离子掺杂激光材料实现激光及其倍频激光的方法，其特征在于： (1)于激光材料基质中掺杂稀土离子，继而成为激光晶体或激光透明陶瓷； (2)针对不同的激光晶体或激光透明陶瓷，根据稀土掺杂离子的激光泵浦通道的吸收波长，来选择工作波长和其相匹配的GaN基激光二极管作为泵浦源。； (3)对掺杂稀土离子的激光晶体或激光透明陶瓷进行泵浦，继而可实现可见光激光输出。
申请日期	2016-03-09
专利号	CN105576490A
专利状态	申请中
申请号	CN201610133686.0
公开（公告）号	CN105576490A
IPC 分类号	H01S3/0941 \| H01S3/109 \| H01S3/16
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66401
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院合肥物质科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	张庆礼,彭方,刘文鹏,等. 一种利用GaN基激光二极管泵浦稀土离子掺杂激光材料实现激光及其倍频激光的方法. CN105576490A[P]. 2016-05-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105576490A.PDF（784KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文