면발광형 반도체 레이저, 면발광형 반도체 레이저의 제조방법, 광학 장치, 광조사 장치, 정보 처리 장치,

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	면발광형 반도체 레이저, 면발광형 반도체 레이저의 제조방법, 광학 장치, 광조사 장치, 정보 처리 장치,
其他题名	면발광형 반도체 레이저, 면발광형 반도체 레이저의 제조방법, 광학 장치, 광조사 장치, 정보 처리 장치,
	요시카와마사히로; 야마모토마사테루; 곤도다카시
	2008-08-06
专利权人	후지제롯쿠스 가부시끼가이샤
公开日期	2008-08-06
授权国家	韩国
专利类型	发明申请
摘要	본 발명은 확산각의 제어를 용이하게 행할 수 있는 면발광형 반도체 레이저를 제공하는 것을 과제로 한다. 면발광형 반도체 레이저는, n형 하부 DBR(106), 활성 영역(108), 활성 영역(108) 위의 p형 상부 DBR(112), 및활성 영역(108)에 근접하는 전류 협착층(110)을 포함하고, 전류 협착층(110)의 측면이 노출되도록 메사(mesa)(P)가 형성되어 있다. 전류 협착층(110)은 AlAs(110a)와 그보다도 활성 영역 측에 형성되는 Al0.88Ga0.12As층(110b)을 포함하고, 그것들을 합한 광학 막 두께는 레이저광의 발진(發振) 파장을 λ로 하였을 때, λ/4이다. AlAs층(110a) 및 Al0.88Ga0.12As층(110b)은 메사(P)의 측면으로부터 선택적으로 동시에 산화된다.
其他摘要	本发明的目的是提供一种能够容易地控制扩散角的表面发射型半导体激光器。表面发射型半导体激光器包括n型下DBR 106，有源区108，有源区108上的p型上DBR 112，以及电流阻挡层110并且形成台面P，使得电流限制层110的侧表面暴露。电流阻挡层110包括AlAs 110a和形成在有源区侧而不是AlAs 110a上的Al0.88Ga0.12As层110b。电流阻挡层110的光学膜厚度被定义为激光的振荡波长，，这是？/ 4。 AlAs层110a和Al0.88Ga0.12As层110b从台面（P）侧选择性地同时氧化。
主权项	the first semiconductor mirror layer of the first conductivity type on the substrate, the active area above the first semiconductor mirror layer, and the electric current restriction layer coming close to the second semiconductor mirror layer of the second conductivity type above the active area and active area are included. the side of at least electric current restriction layer is exposed. moreover, first and second semiconductor layer are selectively oxidized from the side of the mesa structure the second semiconductor layer including the Al composition formed to side than the semiconductor layer and semiconductor layer the active area was included ; the Al concentration of the semiconductor layer was higher than the Al concentration of the second semiconductor layer ; the oscillation wavelength of the laser light was done ; and the optical membrane thickness summing first and second semiconductor layer is λ/4 wherein the electric current restriction layer comprise the Al composition The surface emission type semiconductor laser sticking to the layer in which the semiconductor layer and the second semiconductor layer are adjacent to each other.
申请日期	2007-08-14
专利号	KR1020080072499A
专利状态	授权
申请号	KR1020070081567
公开（公告）号	KR1020080072499A
IPC 分类号	H01S5/18 \| H01S5/187
专利代理人	MOON DU HYUN \| MOON, KI SANG
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66394
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	후지제롯쿠스 가부시끼가이샤
推荐引用方式 GB/T 7714	요시카와마사히로,야마모토마사테루,곤도다카시. 면발광형 반도체 레이저, 면발광형 반도체 레이저의 제조방법, 광학 장치, 광조사 장치, 정보 처리 장치,. KR1020080072499A[P]. 2008-08-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
KR1020080072499A.PDF（473KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文