基于低相干技术的低偏振半导体激光器及其制备方法

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	基于低相干技术的低偏振半导体激光器及其制备方法
其他题名	基于低相干技术的低偏振半导体激光器及其制备方法
	朱金通; 吕少平; 罗宁一
	2014-11-12
专利权人	维林光电(苏州)有限公司
公开日期	2014-11-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种基于低相干技术的低偏振半导体激光器的制备方法，首先用射频范围的频率产生交变电流AC；再将将一直流电流DC与所述交变电流AC叠加后经半导体激光器产生低简并度光子，该低简并度光子经半导体激光器内谐振腔光放大形成低相干性的宽带激光束；然后将部分所述宽带激光束导入光探测器，产生电子反馈信号，以保持所述半导体激光器处于瞬态或非稳态模模式；最后将剩余所述宽带激光束退偏后形成低相干性的、低偏振的激光。本发明还提供由上述方法制备的低偏振半导体激光器。通过本发明低偏振半导体激光器产生的激光具有高强度，低相干，低偏振的特性。
其他摘要	本发明提供一种基于低相干技术的低偏振半导体激光器的制备方法，首先用射频范围的频率产生交变电流AC；再将将一直流电流DC与所述交变电流AC叠加后经半导体激光器产生低简并度光子，该低简并度光子经半导体激光器内谐振腔光放大形成低相干性的宽带激光束；然后将部分所述宽带激光束导入光探测器，产生电子反馈信号，以保持所述半导体激光器处于瞬态或非稳态模模式；最后将剩余所述宽带激光束退偏后形成低相干性的、低偏振的激光。本发明还提供由上述方法制备的低偏振半导体激光器。通过本发明低偏振半导体激光器产生的激光具有高强度，低相干，低偏振的特性。
主权项	一种基于低相干技术的低偏振半导体激光器的制备方法，其特征在于包括如下步骤： ①用射频范围的频率产生交变电流AC； ②将一直流电流DC与所述交变电流AC叠加后经半导体激光器产生低简并度光子，该低简并度光子经半导体激光器内谐振腔光放大形成低相干性的宽带激光束，每个由半导体激光器输出的纵模均得到展宽； ③将部分所述宽带激光束导入光探测器，产生实时响应的、反馈至直流电流DC或交变电流AC的电子反馈信号，以保持所述半导体激光器处于瞬态或非稳态模模式； ④将剩余所述宽带激光束退偏后形成低相干性的、低偏振的激光。
申请日期	2013-05-07
专利号	CN104143761A
专利状态	失效
申请号	CN201310164422.8
公开（公告）号	CN104143761A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/06
专利代理人	陆明耀 \| 姚姣阳
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66386
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	维林光电(苏州)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	朱金通,吕少平,罗宁一. 基于低相干技术的低偏振半导体激光器及其制备方法. CN104143761A[P]. 2014-11-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104143761A.PDF（1333KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文