表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法

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	表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法
其他题名	表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法
	方瑞雨; 盖德·艾伯特·罗格若; 路易吉·塔隆
	2012-11-07
专利权人	安华高科技股份有限公司
公开日期	2012-11-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法。提供了一种表面发射半导体激光器装置，其包括与各种反射器和衍射透镜集成在半导体材料中的边缘发射激光器。边缘发射激光器具有包括有源MQW区域的第一区段、包括无源区域的第二区段和包括半绝缘或未掺杂的半导体体层的第三区段。该配置确保注入电流将会流经有源区域的所有层，从而防止由于MQW有源区域的未注入区域而发生光学损失。另外，包括无源区域确保了没有电流流经有源MQW区域与再生长的半导体体层之间的界面。后一特征提高了性能和装置可靠性。
其他摘要	本发明涉及表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法。提供了一种表面发射半导体激光器装置，其包括与各种反射器和衍射透镜集成在半导体材料中的边缘发射激光器。边缘发射激光器具有包括有源MQW区域的第一区段、包括无源区域的第二区段和包括半绝缘或未掺杂的半导体体层的第三区段。该配置确保注入电流将会流经有源区域的所有层，从而防止由于MQW有源区域的未注入区域而发生光学损失。另外，包括无源区域确保了没有电流流经有源MQW区域与再生长的半导体体层之间的界面。后一特征提高了性能和装置可靠性。
主权项	一种表面发射半导体激光器装置，包括：具有上表面和下表面的半导体衬底；布置在所述半导体衬底的上表面上的多个半导体层，所述多个半导体层包括最上层、最下层以及在所述最上层与最下层之间的一个或多个层；形成在所述多个半导体层的一个或多个层中的边缘发射激光器，该激光器包括具有第一末端和和第二末端的有源多量子阱(MQW)区域和具有第一末端和第二末端的无源区域，所述有源MQW区域的第二末端与所述无源区域的第一末端相接，所述激光器具有与所述有源MQW区域的第一末端相对应的后端面和与所述无源区域的第二末端相对应的前端面，其中，如果所述激光器被激活，则在所述有源MQW区域中产生的激光沿着激光器的与所述衬底的上表面和下表面基本平行的光轴传播经过所述有源MQW区域，从所述有源MQW区域的第二末端出来，进入所述无源区域的第一末端，经过所述无源区域，并且从所述激光器的前端面出来，所述激光在从所述前端面传播出来时发散；上部反射器，布置在所述多个半导体层的最上层上或者该层附近，并且在所述激光器的前端面上方；成角度的侧面反射器，布置在形成于所述多个半导体层的一个或多个层中的成角度的侧端面上；下部反射器，布置在所述半导体衬底的下表面上或者该表面附近；以及衍射透镜，布置在所述一个或多个半导体层的至少最上层中，并且其中，所述激光器、所述成角度的侧面反射器、所述上部反射器、所述下部反射器和所述衍射透镜相对于彼此的朝向被设置为使得从所述前端面传播出的激光的第一部分直接入射在所述上部反射器上并从而反射到所述成角度的侧面发射器上，并且使得从所述前端面传播出的激光的第二部分直接入射在所述成角度的侧面反射器上，其中，所述成角度的侧面反射器将所入射的激光的第一部分和第二部分反射到所述下部反射器上，并且其中，所述下部反射器反射激光的所述第一部分和所述第二部分使其经过所述衍射透镜，所述衍射透镜在与所述衬底的上表面基本垂直的方向上引导所述激光。
申请日期	2012-05-03
专利号	CN102769252A
专利状态	授权
申请号	CN201210140060.4
公开（公告）号	CN102769252A
IPC 分类号	H01S5/18
专利代理人	柳春雷
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66343
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	安华高科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	方瑞雨,盖德·艾伯特·罗格若,路易吉·塔隆. 表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法. CN102769252A[P]. 2012-11-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102769252A.PDF（926KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文