Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
光送受信装置 | |
其他题名 | 光送受信装置 |
松田 学; 小路 元 | |
1994-03-11 | |
专利权人 | FUJITSU LTD |
公开日期 | 1994-03-11 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【目的】本発明は、双方向通信やコンピュータ内部での光並列リンクデータの伝送に用いられる光送受信装置に関し、送信、受信双方に最適化された構造を有する光送受信装置を提供することを目的とする。 【構成】n-InP基板2上に光吸収層4、p-InP層6、コンタクト層8が形成されて受信部Aが形成されている。コンタクト層8上にSI-InP層10、コンタクト層12、クラッド層14、ガイド層18が形成され、クラッド層14との界面に回折格子16が形成されている。ガイド層18上にi-InGaAsP層の活性層20が形成され、その上にクラッド層22、コンタクト層24が形成されている。側面に誘電体膜28、30が形成されている。n-InP基板2下部に電極32が形成され、コンタクト層8、12にそれぞれ電極34、36が形成されている。コンタクト層24上に電極38が形成されているように構成する。 |
其他摘要 | 目的:提供一种用于计算机内的光并行链路数据的双工通信和传送的光发送/接收装置,具有在发送和接收两者中都优化的结构。构成:在n-In衬底2上,形成光吸收层4,p-InP层6和接触层8,从而形成接收部A.在接触层8上,形成SI-InP层10,接触层12,覆盖层14和引导层18,并且在与覆盖层14的界面处形成衍射光栅16.有源层20的i-InGaAsP层形成在引导层18上,并且在其上形成覆盖层22和接触层24。在它们的侧表面上,形成介电膜28和30。在n-InP衬底2下,形成电极32。在接触层8和12上分别形成电极34和36。构造使得在接触层24上形成电极38。 |
主权项 | - |
申请日期 | 1992-08-18 |
专利号 | JP1994069491A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1992219346 |
公开(公告)号 | JP1994069491A |
IPC 分类号 | H01L33/34 | H01L27/15 | H01S5/323 | H01S5/10 | C07C27/06 | C07C41/01 | C07C51/56 | C07C69/16 | H01S5/026 | C07C51/12 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01L31/12 | H01S5/00 | C07C67/293 | C07C29/151 | C07C67/37 | H01S5/183 | B01J31/30 | H01L33/44 | G02B6/42 | B01J31/12 | H01L33/06 | H01L33/62 | H01S5/12 | H01S5/042 | H01L33/10 | C07B61/00 | H01L33/20 | H01L33/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | 北野 好人 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66121 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FUJITSU LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 松田 学,小路 元. 光送受信装置. JP1994069491A[P]. 1994-03-11. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1994069491A.PDF(110KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[松田 学]的文章 |
[小路 元]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[松田 学]的文章 |
[小路 元]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[松田 学]的文章 |
[小路 元]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论