埋め込み型半導体装置

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	埋め込み型半導体装置
其他题名	埋め込み型半導体装置
	馬渡宏泰; 福田光男; 松本信一
	1996-09-13
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	1996-09-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】埋め込み構造の半導体レーザ等の埋め込み型半導体装置の作製過程において形成された転位や欠陥等の拡散による劣化モードを抑制し、長期にわたり安定して高性能を保持し得る信頼性の高い埋め込み型半導体装置を提供する。【構成】半導体基板上に、少なくとも第1導電型のバッファ層、活性層、第2導電型のクラッド層および第2導電型の電極層を積層してストライプ状に加工したメサストライプと、このメサストライプの両側面に、少なくとも半絶縁性高抵抗層を含む電流阻止層を具備した埋め込み型半導体装置において、活性層の下からの深さが2.0μm以上有する形状のメサストライプとするか、またはメサストライプの高さを、第1導電型のバッファ層、活性層、第2導電型のクラッド層および第2導電型の電極層の各層厚の和よりも小さくし、かつ活性層、第2導電型のクラッド層および第2導電型の電極層の各層厚の和よりも大きくした構造とする。
其他摘要	用途：通过设置深度大于或等于特定值的有源层下方具有深度的台面条，来抑制由于位错，缺陷等的扩散引起的劣化模式，并确保长期稳定性。组成：在N-InP衬底7上依次生长N-InP缓冲层6，有源层5，P-InP覆层4和电极接触层3.就电极接触进行蚀刻层3，P-InP包层4，有源层5和N-InP衬底7的中间部分，从而形成从有源层5下方具有大于或等于2.0μm的距离的台面条带结构。掩埋生长几乎与台面条纹一样进行，然后形成P侧电极1和N侧电极8。由此，可以抑制从两个生长界面到有源层5的位错和缺陷的扩散，从而长期确保掩埋型半导体的性能并且可以提高可靠性。
主权项	-
申请日期	1995-02-28
专利号	JP1996236855A
专利状态	失效
申请号	JP1995040355
公开（公告）号	JP1996236855A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	中村純之助
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66119
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	馬渡宏泰,福田光男,松本信一. 埋め込み型半導体装置. JP1996236855A[P]. 1996-09-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996236855A.PDF（49KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文