半導体光制御素子およびその製造方法

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	半導体光制御素子およびその製造方法
其他题名	半導体光制御素子およびその製造方法
	小松啓郎
	1993-01-29
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1993-01-29
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】再現性良く、歩留り良く製造することができる、低損失で、かつ微細な光導波型の半導体光制御素子を提供する。【構成】半導体導波型光制御素子を製作する際に、半導体をエッチングしてリッジを形成するのではなく、平坦なダブルヘテロ結晶上に誘電体をマスクとして選択的にリッジ131を成長する。このとき、リッジ側面130も平滑な結晶面とすることができるので、散乱損失の無い超低損失な導波型光制御デバイスを実現できる。しかも、この製造方法においては、半導体のエッチングは不要であり、エッチングを行うのは薄い誘電体膜のみであるので、微細な導波型半導体光制御デバイスを再現性良く、広い面積にわたって製造することができ、集積化や量産化に適する。
其他摘要	目的：提供一种精细的光波导型半导体光控制元件，其制造具有优异的再现性和优异的产量并且具有低损耗。组成：当制造半导体波导型光控制元件时，不蚀刻半导体并且不形成脊，并且脊131在选择性地生长在扁平双异晶上，同时使用电介质作为掩模。由于此时脊侧面130也可以形成在光滑的晶面中，因此可以实现没有散射损耗并具有超低损耗的波导型光控制装置。由于在制造过程中不需要蚀刻半导体并且仅蚀刻薄的电介质膜，所以可以以优异的再现性在宽的区域上制造精细波导型半导体光学控制器件，并且制造适合于集成和大规模生产。
主权项	-
申请日期	1991-07-10
专利号	JP1993021904A
专利状态	失效
申请号	JP1991168539
公开（公告）号	JP1993021904A
IPC 分类号	H01L31/14 \| G02B6/13 \| G02F1/015 \| G02F1/025 \| G02F1/225 \| G02F1/313 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	内原晋
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65926
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	小松啓郎. 半導体光制御素子およびその製造方法. JP1993021904A[P]. 1993-01-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993021904A.PDF（71KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文