Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レ—ザダイオ—ドおよび製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レ—ザダイオ—ドおよび製造方法 |
| 三橋 豊; 田中 利夫; 花巻 吉彦 | |
| 2000-07-14 | |
| 专利权人 | 三菱電機株式会社 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 発振横モードの安定性がよくかつ信頼性が高くしかも簡単な構造で歩留まり良く製造できる半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 半導体基板上に、p型クラッド層とn型クラッド層の間に位置する量子井戸構造の活性層を含んでなり、共振方向に長手方向が一致するように形成されたメサ部を備えた半導体レーザダイオードであって、活性層のうちのメサ部の両側面近傍が無秩序化され、かつp型クラッド層及びn型クラッド層のうちのメサ部の両側面近傍が高抵抗化されている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体激光二极管，其通过一种方法来增强横向模式下的振荡稳定性和可靠性，其中靠近台面两侧的有源层部分是无序的，并且p的一部分在台面两侧附近的型包层和n型包层的电阻变高。解决方案：无序区域7的带隙基本上比有源层宽，因此光被区域7吸收较少。通过这种设置，可以防止台面侧的双异质结的暴露部分。由于恶化，可以防止半导体激光器的可靠性恶化并延长使用寿命。此外，可以抑制在台面表面附近流动的漏电流，该电流跨越双异质结，激光器驱动电流可以集中在台面中心的窄区域，并且激光器装置能够在低门槛。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1998-12-25 |
| 专利号 | JP2000196190A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998370675 |
| 公开（公告）号 | JP2000196190A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 青山 葆 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65800 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三橋 豊,田中 利夫,花巻 吉彦. 半導体レ—ザダイオ—ドおよび製造方法. JP2000196190A[P]. 2000-07-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000196190A.PDF（37KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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