波長板集積型偏波無依存半導体増幅器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	波長板集積型偏波無依存半導体増幅器
其他题名	波長板集積型偏波無依存半導体増幅器
	曲克明; 吉國裕三; 吉本直人; 伊藤敏夫
	1999-01-29
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	1999-01-29
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】光通信,光交換,光情報処理等に用いる波長板集積型偏波無依存半導体増幅器を提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板上に作製された埋め込み構造を有した半導体光増幅器の一方側端面に埋め込み導波路が集積接続されており、該埋め込み導波路は二つの第1の導波路21と第2の導波路22とから構成され、第1の導波路(長さ:L1 )は半導体光増幅器の活性層と集積され、第2の導波路(長さ:L2 ,L2≦L1 )22は第1の導波路の導波方向と平行に位置し、二つの導波路の中心を結ぶ直線と基板に平行な直線とのなす角を45°に設定してあり、二つの導波路が有する固有な導波モードの最低次から数えて2つの等価屈折率をn1 及びn2(n1 >n2 )とすると、第2の導波路の長さL2 が式で定義されている。【数1】
其他摘要	要解决的问题：通过设定角度来解决半导体光放大器的偏振波依赖性，所述角度由连接第一波导通道与第二波导通道的直线和与基板平行的直线以特定角度设定，并通过指定的公式指定第二波导通道的长度。解决方案：在使包括x方向上的电场分量的TE偏振波入射的条件下，首先，在光放大器区域中提供TE偏振波的增益。当入射光进入λ/ 4板区域时，入射在区域A上的光在保持TE偏振波的同时进入区域B.在区域B中，在晶体的主轴（连接两个波导通道的线）中，由与第一波导通道21的光的光轴正交的方向（x轴）形成的角度（θ）和连接第一波导通道21和第二波导通道22的轴是45度。通过设置具有两个等效折射率的公式的长度，从提供给区域B中的本征波导模式的最低阶为n1和n2（ n1> n2），反射光的偏振波旋转90度。在区域B的入口处，并作为TM偏振波发射。
主权项	-
申请日期	1997-07-04
专利号	JP1999026882A
专利状态	失效
申请号	JP1997179468
公开（公告）号	JP1999026882A
IPC 分类号	G02B \| H01S \| G02F1/025 \| G02B6/122 \| H01S5/065 \| G02F \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	光石俊郎 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65775
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	曲克明,吉國裕三,吉本直人,等. 波長板集積型偏波無依存半導体増幅器. JP1999026882A[P]. 1999-01-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999026882A.PDF（30KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文