端面射出型半导体激光器

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	端面射出型半导体激光器
其他题名	端面射出型半导体激光器
	渊田步; 奥贯雄一郎
	2017-12-08
专利权人	三菱电机株式会社
公开日期	2017-12-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	得到一种端面射出型半导体激光器，其能够抑制与温度变化相伴的振荡波长错动，而不会使生产性和成品率降低。在半导体基板(1)之上形成有具有第1折射率的第1覆层(2)。在第1覆层(2)之上形成有具有比第1折射率高的第2折射率的有源层(3)。在有源层(3)之上形成有布拉格反射镜(4)，该布拉格反射镜是将厚度均比λ/4n厚的低折射率层(4a)和高折射率层(4b)交替地层叠而得到的，其中，λ为振荡波长，n为介质的折射率。在布拉格反射镜(4)之上形成有具有比有源层(3)小的带隙能的光吸收层(5)。在光吸收层(5)之上形成有具有比第2折射率低的第3折射率的第2覆层(6)。
其他摘要	得到一种端面射出型半导体激光器，其能够抑制与温度变化相伴的振荡波长错动，而不会使生产性和成品率降低。在半导体基板(1)之上形成有具有第1折射率的第1覆层(2)。在第1覆层(2)之上形成有具有比第1折射率高的第2折射率的有源层(3)。在有源层(3)之上形成有布拉格反射镜(4)，该布拉格反射镜是将厚度均比λ/4n厚的低折射率层(4a)和高折射率层(4b)交替地层叠而得到的，其中，λ为振荡波长，n为介质的折射率。在布拉格反射镜(4)之上形成有具有比有源层(3)小的带隙能的光吸收层(5)。在光吸收层(5)之上形成有具有比第2折射率低的第3折射率的第2覆层(6)。
主权项	一种端面射出型半导体激光器，其特征在于，具有：半导体基板；第1覆层，其形成于所述半导体基板之上，具有第1折射率；有源层，其形成于所述第1覆层之上，具有比所述第1折射率高的第2折射率；布拉格反射镜，其形成于所述有源层之上，是将厚度均比λ/4n厚的低折射率层和高折射率层交替地层叠而得到的，其中，λ为振荡波长，n为介质的折射率；光吸收层，其形成于所述布拉格反射镜之上，具有比所述有源层小的带隙能；以及第2覆层，其形成于所述光吸收层之上，具有比所述第2折射率低的第3折射率。
申请日期	2017-05-31
专利号	CN107453205A
专利状态	申请中
申请号	CN201710397576.X
公开（公告）号	CN107453205A
IPC 分类号	H01S5/18 \| H01S5/187
专利代理人	何立波 \| 张天舒
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65757
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱电机株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	渊田步,奥贯雄一郎. 端面射出型半导体激光器. CN107453205A[P]. 2017-12-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107453205A.PDF（2679KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文