一种调整半导体激光器波长的方法

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	一种调整半导体激光器波长的方法
其他题名	一种调整半导体激光器波长的方法
	殷方军; 李沛旭; 苏建; 蒋锴; 徐现刚
	2016-03-30
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2016-03-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种调整半导体激光器波长的方法，包括以下步骤：（1）将加工好的半导体激光器外延片解理成巴条；（2）将巴条放入镀膜机中，镀膜机抽真空后对巴条烘烤；（3）达到步骤（2）中所述烘烤温度和真空度后，在巴条前腔面蒸镀增透膜，改变前腔面的反射率；（4）在后腔面上蒸镀高反膜，交替蒸镀光学厚度为λ/4的高低折射率镀膜，λ为半导体激光器的波长，使后腔面反射率大于98%。该方法可以主动双向调节半导体激光器波长，工艺简单，易于实现，可以在一定范围内调整半导体激光器的波长，提高了半导体激光器波长的对档率。
其他摘要	一种调整半导体激光器波长的方法，包括以下步骤：（1）将加工好的半导体激光器外延片解理成巴条；（2）将巴条放入镀膜机中，镀膜机抽真空后对巴条烘烤；（3）达到步骤（2）中所述烘烤温度和真空度后，在巴条前腔面蒸镀增透膜，改变前腔面的反射率；（4）在后腔面上蒸镀高反膜，交替蒸镀光学厚度为λ/4的高低折射率镀膜，λ为半导体激光器的波长，使后腔面反射率大于98%。该方法可以主动双向调节半导体激光器波长，工艺简单，易于实现，可以在一定范围内调整半导体激光器的波长，提高了半导体激光器波长的对档率。
主权项	一种调整半导体激光器波长的方法，其特征是，包括以下步骤： (1)将加工好的半导体激光器外延片解理成巴条； (2)将巴条放入镀膜机中，镀膜机抽真空后对巴条烘烤； (3)达到步骤(2)中所述烘烤温度和真空度后，在巴条前腔面蒸镀增透膜，改变前腔面的反射率； (4)在后腔面上蒸镀高反膜，交替蒸镀光学厚度为λ/4的高低折射率镀膜，λ为半导体激光器的波长，使后腔面反射率大于98％。
申请日期	2015-12-30
专利号	CN105449516A
专利状态	失效
申请号	CN201511022234.7
公开（公告）号	CN105449516A
IPC 分类号	H01S5/068 \| H01S5/10
专利代理人	王书刚
代理机构	济南日新专利代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65741
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	殷方军,李沛旭,苏建,等. 一种调整半导体激光器波长的方法. CN105449516A[P]. 2016-03-30.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105449516A.PDF（258KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文