一种半导体激光器芯片及其制备方法

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	一种半导体激光器芯片及其制备方法
其他题名	一种半导体激光器芯片及其制备方法
	周立; 潘之炜; 郭栓银; 谭少阳; 吴涛
	2017-02-22
专利权人	苏州长光华芯光电技术有限公司
公开日期	2017-02-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法。所述制备方法先将半导体激光器芯片靠近腔面处的高掺杂低阻层腐蚀出一条平行于腔面的沟槽；在沟槽及边缘区域制作SiO2绝缘层，在高掺杂低阻层再制作P面金属层且P面金属层覆盖SiO2绝缘层，使在SiO2绝缘层的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层扩散到出腔面处，而是在沟槽处被阻挡。本发明制作的半导体激光器芯片从器件工艺结构角度出发，通过减少腔面附近注入载流子浓度，可减少非辐射复合吸收，达到提高COMD发生电流的效果，能抑制半导体激光器的腔面注入电流密度过大的缺陷。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法。所述制备方法先将半导体激光器芯片靠近腔面处的高掺杂低阻层腐蚀出一条平行于腔面的沟槽；在沟槽及边缘区域制作SiO2绝缘层，在高掺杂低阻层再制作P面金属层且P面金属层覆盖SiO2绝缘层，使在SiO2绝缘层的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层扩散到出腔面处，而是在沟槽处被阻挡。本发明制作的半导体激光器芯片从器件工艺结构角度出发，通过减少腔面附近注入载流子浓度，可减少非辐射复合吸收，达到提高COMD发生电流的效果，能抑制半导体激光器的腔面注入电流密度过大的缺陷。
主权项	一种半导体激光器芯片，其相对的两个外侧分别为作为P电极的P面金属层(4)和作为N电极的N面金属层(12)，P面金属层(4)的内侧为高掺杂低阻层(1)；其特征在于：高掺杂低阻层(1)靠近所述半导体激光器芯片的腔面(5)处的腐蚀有一条平行于腔面(5)的沟槽(2)；在沟槽(2)及边缘区域设置有SiO2绝缘层(3)，P面金属层(4)覆盖高掺杂低阻层(1)的同时还覆盖SiO2绝缘层(3)，使在SiO2绝缘层(3)的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层(1)扩散到出腔面(5)处，而是在沟槽(2)处被阻挡。
申请日期	2016-10-31
专利号	CN106451075A
专利状态	申请中
申请号	CN201610928707.8
公开（公告）号	CN106451075A
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/18 \| H01S5/24
专利代理人	汤东凤
代理机构	北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65701
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	周立,潘之炜,郭栓银,等. 一种半导体激光器芯片及其制备方法. CN106451075A[P]. 2017-02-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106451075A.PDF（113KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文