一种基于InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的循环退火方法

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	一种基于InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的循环退火方法
其他题名	一种基于InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的循环退火方法
	李建军; 林盛杰; 何林杰
	2014-11-19
专利权人	北京工业大学
公开日期	2014-11-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种基于InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的循环退火方法，属于量子阱混杂技术领域。首先在砷化镓衬底上生长包含量子阱区域的半导体激光器外延晶片，然后晶片在经过标准清洗后采用等离子化学气相沉积生长电介质层，使其表面产生晶格缺陷。接着通过高温短时循环退火使部分表面晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界面处产生混杂，从而改变量子阱的能带结构。本发明解决了在量子阱混杂过程中，高温退火导致的量子阱质量退化的问题。本发明为建立无吸收窗口层提供了重要的依据，尤其是发现了一种新的退火方法来提高量子阱混杂的晶体质量，可降低生产成本。
其他摘要	一种基于InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的循环退火方法，属于量子阱混杂技术领域。首先在砷化镓衬底上生长包含量子阱区域的半导体激光器外延晶片，然后晶片在经过标准清洗后采用等离子化学气相沉积生长电介质层，使其表面产生晶格缺陷。接着通过高温短时循环退火使部分表面晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界面处产生混杂，从而改变量子阱的能带结构。本发明解决了在量子阱混杂过程中，高温退火导致的量子阱质量退化的问题。本发明为建立无吸收窗口层提供了重要的依据，尤其是发现了一种新的退火方法来提高量子阱混杂的晶体质量，可降低生产成本。
主权项	一种高温短时循环退火方法来实现量子阱混杂的同时保护量子阱的晶体质量的方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)首先在砷化镓衬底上生长包含量子阱区域的外延晶片； (2)步骤(1)的外延晶片经过清洗后，采用等离子化学气相沉积生长一层SiO2电介质层； (3)采用退火炉将步骤(2)的产品在纯氮气环境中进行循环退火：退火温度800～850℃,退火时间2～8分钟，然后将样品取出冷却至室温，接着再将样品送入退火炉以相同的温度和时间进行退火，然后将样品取出冷却至室温，如此进行多次退火和冷却循环；通过退火使部分缺陷扩散到量子阱里面，导致量子阱和垒的成分在界面处产生混杂。
申请日期	2014-05-29
专利号	CN104158087A
专利状态	失效
申请号	CN201410236295.2
公开（公告）号	CN104158087A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	张慧
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65699
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李建军,林盛杰,何林杰. 一种基于InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的循环退火方法. CN104158087A[P]. 2014-11-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104158087A.PDF（1197KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文