一种提高半导体激光器散热效率的方法及封装结构

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	一种提高半导体激光器散热效率的方法及封装结构
其他题名	一种提高半导体激光器散热效率的方法及封装结构
	蔡万绍; 段磊; 张宏友; 刘兴胜
	2016-11-23
专利权人	西安炬光科技股份有限公司
公开日期	2016-11-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提出了一种提高半导体激光器散热效率的方法以及相应的封装结构，采用了多组金属与石墨以间隔排列方式制备而成的石墨‑金属复合热沉，该复合热沉在前述排列方向和其对应的其他方向上具有不同的导热率；激光芯片安装在石墨‑金属复合热沉上，激光芯片的安装面对应多组金属与石墨材料，使得激光芯片的散热路径为与石墨‑金属复合热沉中金属与石墨排列方向的垂直方向。本发明不仅解决由热应力引起的激光芯片损伤问题，而且相比传统的热沉具有更高的散热效率。
其他摘要	本发明提出了一种提高半导体激光器散热效率的方法以及相应的封装结构，采用了多组金属与石墨以间隔排列方式制备而成的石墨‑金属复合热沉，该复合热沉在前述排列方向和其对应的其他方向上具有不同的导热率；激光芯片安装在石墨‑金属复合热沉上，激光芯片的安装面对应多组金属与石墨材料，使得激光芯片的散热路径为与石墨‑金属复合热沉中金属与石墨排列方向的垂直方向。本发明不仅解决由热应力引起的激光芯片损伤问题，而且相比传统的热沉具有更高的散热效率。
主权项	一种提高半导体激光器散热效率的方法，包括以下步骤： 1）将多组金属与石墨以间隔排列方式制备成石墨-金属复合热沉，使所述复合热沉在前述排列方向和其对应的其他方向上具有不同的导热率； 2）将激光芯片安装在石墨-金属复合热沉上，激光芯片的安装面对应多组金属与石墨材料，即激光芯片同时与石墨-金属复合热沉中的金属和石墨材料接触，使得激光芯片的散热路径为与石墨-金属复合热沉中金属与石墨排列方向的垂直方向。
申请日期	2016-08-30
专利号	CN106159670A
专利状态	申请中
申请号	CN201610762115.3
公开（公告）号	CN106159670A
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/022
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65672
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	蔡万绍,段磊,张宏友,等. 一种提高半导体激光器散热效率的方法及封装结构. CN106159670A[P]. 2016-11-23.

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CN106159670A.PDF（160KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文