天燃气检测用激光芯片的制造方法

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	天燃气检测用激光芯片的制造方法
其他题名	天燃气检测用激光芯片的制造方法
	张扬; 王选政; 于红艳; 娄瑞; 吴哲
	2011-08-03
专利权人	北京航星网讯技术股份有限公司
公开日期	2011-08-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种天燃气检测用激光芯片的制造方法，属于半导体激光检测器技术领域。为提供稳定的用于天然气传感应用的激光束，以实现高精度的天然气检测，本发明提供的方法首先在n-InP衬底上进行一次外延，生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层以及p-n反型层；然后制作出复耦合型光栅，再进行二次外延生长，生长出p-InP盖层、刻蚀停止层和p-InGaAs接触层；然后腐蚀出脊台波导结构，并大面积淀积二氧化硅层，再刻制出脊台波导窗口，最后溅射出P面电极并蒸发出N面电极。由该方法制得的芯片具有可调谐性好、温度稳定性强、效率高、成本低、寿命长、适应于大规模生产等一系列优点。
其他摘要	本发明涉及一种天燃气检测用激光芯片的制造方法，属于半导体激光检测器技术领域。为提供稳定的用于天然气传感应用的激光束，以实现高精度的天然气检测，本发明提供的方法首先在n-InP衬底上进行一次外延，生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层以及p-n反型层；然后制作出复耦合型光栅，再进行二次外延生长，生长出p-InP盖层、刻蚀停止层和p-InGaAs接触层；然后腐蚀出脊台波导结构，并大面积淀积二氧化硅层，再刻制出脊台波导窗口，最后溅射出P面电极并蒸发出N面电极。由该方法制得的芯片具有可调谐性好、温度稳定性强、效率高、成本低、寿命长、适应于大规模生产等一系列优点。
主权项	一种天燃气检测用激光芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：在n-InP衬底(1)上进行一次外延，生长出InP缓冲层(2)、下波导层(5)、多量子阱结构(6)、上波导层(7)以及p-n反型层(8)；步骤S2：在所述p-n反型层(8)与所述上波导层(7)上制作出复耦合型光栅(9)；步骤S3：从所述复耦合型光栅(9)上方进行二次外延生长，生长出p-InP盖层(10)、刻蚀停止层(11)和p-接触层(12)；步骤S4：从所述p-接触层(12)及所述刻蚀停止层(11)上方制作出脊台波导结构(13-1)；步骤S5：在脊态结构(13-1)上大面积淀积二氧化硅层(14)；步骤S6：刻制出脊台波导窗口(13-2)；步骤S7：制作P面电极(15)及N面电极(16)。
申请日期	2011-02-28
专利号	CN102142658A
专利状态	授权
申请号	CN201110047928.1
公开（公告）号	CN102142658A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/22
专利代理人	王莹
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65631
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京航星网讯技术股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张扬,王选政,于红艳,等. 天燃气检测用激光芯片的制造方法. CN102142658A[P]. 2011-08-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102142658A.PDF（913KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文