用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体激光器

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	用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体激光器
其他题名	用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体激光器
	克里斯托夫·艾克勒; 森克·陶茨
	2014-07-09
专利权人	欧司朗光电半导体有限公司
公开日期	2014-07-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种用于制造光电子半导体构件(1)的方法，其具有下述步骤：在生长衬底(3)上外延地生长具有有源层的半导体层序列(2)；在半导体层序列(2)和生长衬底(3)上成形正面小平面(4)；借助用于在制成的半导体构件(1)中产生的辐射(R)的阻光层(5)对正面小平面(4)的一部分进行覆层，其中阻光层(5)借助定向的覆层方法来生成并且在覆层时借助于通过生长衬底(3)和/或通过至少一个遮光条(6)的遮蔽来进行对阻光层(5)的结构化，所述遮光条设置在生长衬底(3)上和/或附近。
其他摘要	一种用于制造光电子半导体构件(1)的方法，其具有下述步骤：在生长衬底(3)上外延地生长具有有源层的半导体层序列(2)；在半导体层序列(2)和生长衬底(3)上成形正面小平面(4)；借助用于在制成的半导体构件(1)中产生的辐射(R)的阻光层(5)对正面小平面(4)的一部分进行覆层，其中阻光层(5)借助定向的覆层方法来生成并且在覆层时借助于通过生长衬底(3)和/或通过至少一个遮光条(6)的遮蔽来进行对阻光层(5)的结构化，所述遮光条设置在生长衬底(3)上和/或附近。
主权项	一种用于制造光电子半导体构件(1)的方法，具有下述步骤： -在生长衬底(3)上外延地生长具有至少一个有源层的半导体层序列(2)， -在所述半导体层序列(2)和所述生长衬底(3)上成形正面小平面(4)，其中所述正面小平面(4)构建为用于在制成的所述半导体构件(1)中产生的辐射(R)的主要光出射侧， -借助用于在制成的所述半导体构件(1)中产生的辐射(R)的阻光层(5)对所述正面小平面(4)的一部分进行覆层，其中所述阻光层(5)借助定向的覆层方法来生成并且在覆层时借助于通过所述生长衬底(3)和/或通过至少一个遮光条(6)的遮蔽来进行所述阻光层(5)的结构化，所述遮光条设置在所述生长衬底(3)上和/或所述生长衬底(3)旁边。
申请日期	2012-09-19
专利号	CN103918142A
专利状态	失效
申请号	CN201280053838.6
公开（公告）号	CN103918142A
IPC 分类号	H01S5/028
专利代理人	丁永凡 \| 李德山
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65568
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	克里斯托夫·艾克勒,森克·陶茨. 用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体激光器. CN103918142A[P]. 2014-07-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103918142A.PDF（1788KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文