Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面発光型レーザ及び半導体発光装置 | |
| 其他题名 | 面発光型レーザ及び半導体発光装置 |
| 木 下 順 一 | |
| 1999-12-24 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 活性層や導波路層の端面において反射が生ずることを抑制して発振特性を顕著に改善することができる面発光型レーザ及び半導体発光装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 活性層あるいは導波路方向に対して垂直な側面を形成しない各種の構成を提案する。本発明のVCSELにおいては、活性層の側面部分には、垂直面が形成されないような形状に加工する。また、本発明のGCSELの場合は、導波路の端面に垂直面が形成されないような結晶面と導波構造との配置とする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过形成不垂直于半导体衬底的主表面的有源层的所有侧面，从而显着改善振荡特性，从而抑制有源层或波导层的边缘上的反射。解决方案：HR-DBR（高反射率分布式布拉格反射器）100（下侧）和200（上侧）高反射率结构布置在基板2上具有多量子阱结构的有源层3的上方和下方，并且从有源层3在垂直方向上谐振。有源层3的侧面S没有垂直于有源层3设置，而是加工成具有倾斜的斜面，以朝向基板2的方向逐渐扩展。因此，防止了不希望的横向谐振，并且仅可以产生垂直谐振。例如，使用基于HBr的湿蚀刻剂进行这种斜坡的加工。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1998-06-09 |
| 专利号 | JP1999354885A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998160680 |
| 公开（公告）号 | JP1999354885A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 佐藤 一雄 (外3名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65554 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木 下 順 一. 面発光型レーザ及び半導体発光装置. JP1999354885A[P]. 1999-12-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999354885A.PDF（73KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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