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大功率半导体激光侧面泵浦固体激光器的泵浦腔
其他题名大功率半导体激光侧面泵浦固体激光器的泵浦腔
周复正; 高云峰; 肖岗; 马淑贞; 朱鸿斌; 蒋晓华
2005-10-12
专利权人大族激光科技产业集团股份有限公司
公开日期2005-10-12
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种大功率半导体激光侧面泵浦固体激光器的泵浦腔,包括线列阵激光二极管条巴、导光耦合元件、漫反射腔体、冷却水套管及固体激光介质,泵浦光不是直接辐照在固体激光介质上,泵浦光经过压缩后偏心照射在漫反射腔体内壁上,经漫反射腔体内壁漫反射后,均匀辐照在固体激光介质上。该大功率半导体激光侧面泵浦固体激光器的泵浦腔提出了泵浦光偏心注入新方法,使首次入射的泵浦光不直接辐射到固体激光介质上,而是被压缩到一定角度,照射到漫反射腔体壁上,再经过漫反射后被固体激光介质均匀吸收,避免了泵浦光直接辐射固体激光介质造成的光辐射破坏和吸收不均匀的热应力破坏,泵浦效率高,实现了优质高功率固体激光输出。
其他摘要一种大功率半导体激光侧面泵浦固体激光器的泵浦腔,包括线列阵激光二极管条巴、导光耦合元件、漫反射腔体、冷却水套管及固体激光介质,泵浦光不是直接辐照在固体激光介质上,泵浦光经过压缩后偏心照射在漫反射腔体内壁上,经漫反射腔体内壁漫反射后,均匀辐照在固体激光介质上。该大功率半导体激光侧面泵浦固体激光器的泵浦腔提出了泵浦光偏心注入新方法,使首次入射的泵浦光不直接辐射到固体激光介质上,而是被压缩到一定角度,照射到漫反射腔体壁上,再经过漫反射后被固体激光介质均匀吸收,避免了泵浦光直接辐射固体激光介质造成的光辐射破坏和吸收不均匀的热应力破坏,泵浦效率高,实现了优质高功率固体激光输出。
主权项一种大功率半导体激光侧面泵浦固体激光器的泵浦腔,包括线列阵激光二极管条巴、导光耦合元件、漫反射腔体、冷却水套管及固体激光介质,其特征在于:泵浦光不是直接辐照在固体激光介质上,泵浦光经过压缩后偏心照射在漫反射腔体内壁上,经漫反射腔体内壁漫反射后,均匀辐照在固体激光介质上。
申请日期2004-04-05
专利号CN1681171A
专利状态授权
申请号CN200410026791
公开(公告)号CN1681171A
IPC 分类号H01S3/042 | H01S3/08 | H01S3/0941 | H01S3/16
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65551
专题半导体激光器专利数据库
作者单位大族激光科技产业集团股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
周复正,高云峰,肖岗,等. 大功率半导体激光侧面泵浦固体激光器的泵浦腔. CN1681171A[P]. 2005-10-12.
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