外延衬底及其制造方法

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	外延衬底及其制造方法
其他题名	外延衬底及其制造方法
	罗伯特・德维林斯基; 罗曼・多拉津斯基; 耶日・加尔钦斯基; 莱谢克・西尔兹普托夫斯基; 神原康雄
	2006-01-18
专利权人	阿莫诺公司
公开日期	2006-01-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长的氮化物层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N－极面与N－极面组成并且所述衬底的位错密度为5×105/cm2或更低。因此，该模板型衬底具有良好的位错密度和来自(0002)平面的X射线摇摆曲线的FWHM小于80的良好值，从而所得的模板型衬底非常适用于从气相如MOCVD、MBE与HVPE的外延衬底，因而可以制备良好的光电气器件如激光二极管及大输出的LED与良好的电气器件如MOSFET。
其他摘要	本发明提供一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长的氮化物层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N－极面与N－极面组成并且所述衬底的位错密度为5×105/cm2或更低。因此，该模板型衬底具有良好的位错密度和来自(0002)平面的X射线摇摆曲线的FWHM小于80的良好值，从而所得的模板型衬底非常适用于从气相如MOCVD、MBE与HVPE的外延衬底，因而可以制备良好的光电气器件如激光二极管及大输出的LED与良好的电气器件如MOSFET。
主权项	一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长方法生长的氮化物层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N-极面与N-极面组成并且所述衬底的位错密度为5×105/cm2或更低。
申请日期	2003-12-11
专利号	CN1723303A
专利状态	授权
申请号	CN200380105625.4
公开（公告）号	CN1723303A
IPC 分类号	C30B25/02 \| C30B25/18 \| H01L21/205 \| C30B7/00
专利代理人	刘继富 \| 顾晋伟
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65549
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	阿莫诺公司
推荐引用方式 GB/T 7714	罗伯特・德维林斯基,罗曼・多拉津斯基,耶日・加尔钦斯基,等. 外延衬底及其制造方法. CN1723303A[P]. 2006-01-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1723303A.PDF（1267KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文