基于重构—等效啁啾的非对称结构的DFB半导体激光器及制备

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	基于重构—等效啁啾的非对称结构的DFB半导体激光器及制备
其他题名	基于重构—等效啁啾的非对称结构的DFB半导体激光器及制备
	施跃春; 陈向飞; 郭仁甲; 刘瑞; 李思敏
	2013-10-02
专利权人	南京大学
公开日期	2013-10-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提出了利用重构—等效啁啾（REC）的非对称结构的DFB半导体激光器，通过非对称等效π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量的DFB半导体激光器；内置布拉格光栅是等效相移光栅，相移光栅的设置是利用光栅取样结构得到非对称等效相移,激光器两侧端面都镀高透膜（AR）或不镀膜但谐振腔波导呈弧形；相移光栅设置使等效相移的位置偏在需要大的光功率的出光面的一侧，相移左侧光栅和相移右侧光栅的不同的长度比例实现的激光器两端面出光功率比(P1:P2)，相移光栅的等效相移为π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量。
其他摘要	本发明提出了利用重构—等效啁啾（REC）的非对称结构的DFB半导体激光器，通过非对称等效π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量的DFB半导体激光器；内置布拉格光栅是等效相移光栅，相移光栅的设置是利用光栅取样结构得到非对称等效相移,激光器两侧端面都镀高透膜（AR）或不镀膜但谐振腔波导呈弧形；相移光栅设置使等效相移的位置偏在需要大的光功率的出光面的一侧，相移左侧光栅和相移右侧光栅的不同的长度比例实现的激光器两端面出光功率比(P1:P2)，相移光栅的等效相移为π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量。
主权项	一种利用重构—等效啁啾（REC）的非对称结构的DFB半导体激光器，其特征是利用重构—等效啁啾（REC）技术的非对称等效π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量的DFB半导体激光器；内置布拉格光栅是等效相移光栅，相移光栅的设置是利用光栅取样结构得到非对称等效相移,激光器两侧端面都镀高透膜（AR）（一般反射率小于1%）或不镀膜但谐振腔波导呈弧形；相移光栅设置使等效相移的位置偏在需要大的光功率的出光面的一侧，具体的位置比例(L1:L2)为从0.2到0.5；其中L1表示相移左侧光栅的长度，L2表示相移右侧光栅的长度，相移左侧光栅和相移右侧光栅的不同的长度比例实现的激光器两端面出光功率比(P1:P2)，具体长度按实际需要的P1：P2而定；相移光栅的等效相移为π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量。
申请日期	2013-04-24
专利号	CN103337788A
专利状态	失效
申请号	CN201310146938.X
公开（公告）号	CN103337788A
IPC 分类号	H01S5/12 \| G02B6/124
专利代理人	陈建和
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65461
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	施跃春,陈向飞,郭仁甲,等. 基于重构—等效啁啾的非对称结构的DFB半导体激光器及制备. CN103337788A[P]. 2013-10-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103337788A.PDF（1830KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文