면 발광형 반도체 레이저

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	면 발광형 반도체 레이저
其他题名	면 발광형 반도체 레이저
	요시카와마사히로; 야마모토마사테루; 곤도다카시
	2009-08-18
专利权人	후지제롯쿠스 가부시끼가이샤
公开日期	2009-08-18
授权国家	韩国
专利类型	发明申请
摘要	본 발명은 저온으로부터 고온에 이르는 넓은 온도 범위에서 광 출력의 저하를 개선한 면 발광형 반도체 레이저를제공하는 것을 과제로 한다. 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 VCSEL은 GaAs 기판과, n형의 하부 DBR(106)과, 활성 영역(108)과, 활성 영역 상에 형성된 p형의 전류 협착층(110)과, 전류 협착층 상에 형성된 p형의 고농도 DBR(112A)과, 고농도DBR(112A) 상에 형성된 p형의 DBR(112B)을 가진다. DBR(106, 112A, 112B)은 고굴절율층과 저굴절율층의 쌍을각각 포함하고 있다. 고농도 DBR(112A)의 불순물 농도는 DBR(112B)의 불순물 농도보다 높고, 고농도 DBR(112A)의 고굴절율층의 밴드 갭 에너지는 DBR(106), 활성 영역, 전류 협착층, DBR(112A, 112B)로 형성되는 공진기파장의 에너지보다 크다.
其他摘要	本发明的目的在于提供一种表面发射型半导体激光器，其在从低温到高温的宽温度范围内改善光功率的劣化。为了解决问题，本发明的VCSEL具有在高浓度DBR（112A）的高浓度DBR（112A）上形成的DBR（112B），其形成在电流限制层（110）的电流限制层上。形成在GaAs衬底的底部分布式布拉格反射器（106）的有源区上，以及n型和有源区（108），以及p型和p型和p型。 DBR（106,112A，112B）包括一对低折射率层和高折射率层。高浓度DBR（112A）的杂质浓度高于DBR（112B）的杂质浓度。它大于谐振器波长的能量，其中高浓度DBR（112A）的高折射率层的带隙能量由DBR（106），有源区域，电流限制层， DBR（112A，112B）。 VCSEL，基板，DBR，接触层，层间绝缘膜，互连电极，柱。
主权项	The substrate, and
申请日期	2009-02-06
专利号	KR1020090087817A
专利状态	失效
申请号	KR1020090009558
公开（公告）号	KR1020090087817A
IPC 分类号	H01S5/18 \| H01S5/183
专利代理人	MOON DU HYUN \| MOON, KI SANG
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65427
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	후지제롯쿠스 가부시끼가이샤
推荐引用方式 GB/T 7714	요시카와마사히로,야마모토마사테루,곤도다카시. 면 발광형 반도체 레이저. KR1020090087817A[P]. 2009-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
KR1020090087817A.PDF（603KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文